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國家存儲器基地項目武漢開工年產(chǎn)值將超100億美元

2017年1月3日來源：人民日報海外版編輯：QiuShiQi 繁體

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總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工。2020年全面建成后，該項目年產(chǎn)值將超過100億美元，實(shí)現(xiàn)中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破。

國家存儲器基地

　　1月3日消息，總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工。2020年全面建成后，該項目年產(chǎn)值將超過100億美元，實(shí)現(xiàn)中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破。
　　
　　此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片／月。
　　
　　存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，同時也是中國進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。

存儲器芯片

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