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內存市場前景旺 未來5年成長最為強勁

2017年1月9日     來源:MoneyDJ新聞      編輯:zhoujiale      繁體
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內存市場日益擴大,研調機構 IC Insights 最新報告預測,DRAM 與 NAND 閃存等,未來 5 年年均復合增長率(CAGR)可達 7.3%,產值將從去年的 773 億美元擴增至 1,099 億美元。

  內存市場日益擴大,研調機構ICInsights最新報告預測,DRAM與NAND閃存等,未來5年年均復合增長率(CAGR)可達7.3%,產值將從去年的773億美元擴增至1,099億美元。

內存市場,內存市場發展前景

  報告將半導體區分成邏輯、內存,模擬與微組件(microcomponents)IC等4種類型,在5年的預測區間內,以內存成長力道最為強勁,模擬IC以5.2%次之,微組件為4.4%,至于臺積電擅長代工的邏輯IC則僅有2.9%。
  
  ICInsights指出智能手機等移動設備對低功耗內存需求激增,是驅動DRAM與NAND閃存成長的主要動能。除此之外,使用NAND閃存的固態硬盤(SSD)在數據中心、筆電的應用也日趨吃重。
  
  三星6日公布2016年第四季財報,在Note7自燃召回的狀況下,營益竟然還能逆勢跳增近80%,就是因為受惠于內存價格大漲,將利潤空間拉大。

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