半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。在一般情況下,半導體電導率隨溫度的升高而升高,這與金屬導體恰好相反。
半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。在一般情況下,半導體電導率隨溫度的升高而升高,這與金屬導體恰好相反。半導體材料可按化學組成來分,再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。
20世紀中葉,單晶硅和半導體晶體管的發明及其硅集成電路的研制成功,導致了電子工業革命;20世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明,促進了光纖通信技術迅速發展并逐步形成了高新技術產業,使人類進入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研制成功,徹底改變了光電器件的設計思想,使半導體器件的設計與制造從“雜質工程”發展到“能帶工程”。納米科學技術的發展和應用,將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強大的新型器件與電路,深刻地影響著世界的政治、經濟格局和軍事對抗的形式,徹底改變人們的生活方式。
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2020年半導體材料行業發展前景趨勢及現狀分析
2017年我國集成電路晶圓制造材料的產品結構如下圖所示。其中,硅片和硅基材料占據集成電路晶圓制造材料總體的比重最大,為36.8%,在2016年以前大部分8英寸硅單晶拋光片和全部12英寸硅單晶拋光片只能依賴進口。近年來,隨著上海新晟半導體材料科技有限公司的建立和北京有研硅材料股份有限公司12英寸硅片國產化工程的推進,12英寸晶圓硅片國產化指日可待。同時,隨著國內金瑞泓和有研硅等8英寸硅單晶拋光片的升級和擴產,國內8英寸硅片供應緊張狀態有所緩解。其次是電子氣體,占集成電路晶圓制造材料總體的14%。再次是掩膜版,占13.8%。目前40nm及以下特征尺寸的掩膜版還需在海外加工。
光刻膠和配套試劑合計占集成電路晶圓制造材料總體的11.7%。隨著集成電路制程微細化的快速推進,光刻膠及其配套試劑的重要性更加凸現。目前,國產G線和I線光刻膠已有量產,但量產仍須進一步擴大。248nmKrF光刻膠已研制成功,但量產還需進一步突破。193nmArF光刻膠目前仍在研發之中。
濕法工藝化學品、濺射靶材料和CMP拋光材料等目前已部分實現國產化,但仍須進一步擴大品種、增加產量。
根據SIA的數據,2019年12月份全球半導體銷售額為361億美元,同比下滑了5.5%,其中美國市場營收74.9億美元,同比下滑了10.8%;歐洲市場營收32億美元,下滑了7.6%,日本市場營收30.4億美元,同比下滑了8.3%,中國市場營收128.1億美元,同比增長了0.8%,亞太其他地區營收95.6億美元,同比下滑了7.5%。
據統計,中國的移動手機已占據全球40%份額,平板電腦占35%,液晶電視占全球35%,筆記本電腦占25%。“中國電子制造大國的地位已被廣泛認可。”于燮康說,從動態的角度來看,中國集成電路市場在全球份額中的占比仍在不斷增加,從2000年的7%,到2020年將達到46%(2017年約為43%)。近日發布的《第三代半導體產業技術發展報告(2019年)》預測,2024年我國第三代半導體電力電子器件應用市場規模將近200億元,未來5年復合增長率超過40%。
2020-2025年半導體材料行業市場深度分析及發展策略研究報告
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ?cm~1GΩ?cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。本研究咨詢...
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