第三代半導體板塊持續拉升,在5G基建、5G終端射頻和新能源車等多重推動,以及化合物半導體的國產替代趨勢下,未來成長空間廣闊,相關廠商有望迎來較好的發展機遇。
半導體材料發展前景及投資潛力如何?第三代半導體板塊持續拉升,在5G基建、5G終端射頻和新能源車等多重推動,以及化合物半導體的國產替代趨勢下,未來成長空間廣闊,相關廠商有望迎來較好的發展機遇。
第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev),也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。
以碳化硅為代表的第三代半導體材料,被譽為繼硅材料之后最有前景的半導體材料之一,與硅材料相比,以碳化硅晶片為襯底制造的半導體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優點,可廣泛應用于半導體功率器件和5G通訊等領域。
據中研產業研究院公布《2022-2027年中國半導體材料產業園區發展規劃及招商引資咨詢報告》顯示
據中國半導體行業協會(CSIA)統計,2021年前三季度中國集成電路產業銷售額為6856.60億元,同比增長16.1%,其中:設計業銷售額為3111億元,同比增長18.1%,占到總額的45.3%;晶圓業銷售額為1898.1億元,同比增長21.5%,占到總額的27.7%;封測業銷售額為1849.5億元,同比增長8.1%,占到總額的27.0%。
2021年第三季度中國集成電路產業銷售收入為2753.7億元,同比增長16.3%,環比增長16.5%,其中:集成電路設計業銷售收入為1344.6億元,同比增長17.6%,環比增長28.2%;晶圓制造業銷售收入為726.3億元,同比增長22.1%,環比增長15.3%;封裝測試業銷售收入為684.8億元,同比增長5.6%,環比增長率持平。
中國擁有世界上最龐大的半導體消費市場,占全球半導體市場的60%左右,但高端芯片的需求自給率低僅為 10%。通過梳理科創板上市的半導體公司發現,雖然中國半導體行業產業鏈中中國在應用和系統的部分水平與全球領軍企業水平持平,在材料和制造環節距龍頭企業還有大幅的差距。
總的來看,中國半導體行業生產技術仍然有面向中低端市場、材料配方工藝落后、實現技術突破難的特點。而決定半導體行業能力缺陷在于短板有多短,中國半導體產業鏈短板是因為制造環節關鍵材料依賴進口,產生了業內高呼“國產替代”的局面。而所謂“國產替代”:一類是替代性需求,一類是新需求。
新需求是指的新興系統、設備發展和針對下游諸如電子行業的強大需求而做的自主創新。 物聯網、人工智能等新技術興起使智能化成為社會生活各個領域的主流趨勢,傳統產業面臨轉型升級。半導體是產業智能化進程中必不可少的關鍵電子元件,是新產品智能化功能實現的基礎平臺,新技術應用的核心載體。例如,華為發展通信領域5G基站的需求讓海思應運而生。另外,在摩爾定律推動下新材料的迭代引發了半導體代次更迭。
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2022-2027年中國半導體材料產業園區發展規劃及招商引資咨詢報告
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