伴隨全球半導體產業向中國轉移,大陸晶圓產能興建,以中芯國際、長存、長鑫為代表的Foundry及Memory正在加緊產能投資建設,設備需求大幅增加。
中國半導體設備行業預計將進入超級景氣周期
伴隨全球半導體產業向中國轉移,大陸晶圓產能興建,以中芯國際、長存、長鑫為代表的Foundry及Memory正在加緊產能投資建設,設備需求大幅增加。2020年中國大陸地區半導體設備規模187億美元,同比+39%,占全球比例26%,超越中國臺灣成為最大設備市場。我們推算,2021/2022年中國設備市場有望增加至216/242億美元。
隨著中國半導體制造業的迅猛發展,本土設備配套能力不足的弊端也日益突出。根據中國電子專用設備工業協會2019年數據,國產半導體設備自給率約14.2%,若扣除光伏、LED等其他泛半導體設備的影響,國產集成電路專用設備的自給率僅為4.6%。美國BIS自2020年5月接連出臺一系列愈加嚴格的對華半導體產業鏈出口管制政策,中國大陸相關的芯片切實感受到了美國“隨時斷供”的威脅;為保障供應鏈安全,大陸晶圓廠將加緊驗證本土設備,國產設備的采購比例將顯著提升。工藝檢測設備、PVD、離子注入機、刻蝕機、CVD、CMP美國設備占比均超過50%,為保障供應鏈安全,將具有更加緊迫的“去美化”需求。下游需求旺盛疊加國產化加速,中國半導體設備行業將進入超級景氣周期。
根據中研普華研究報告《2021-2025年中國半導體設備行業供需趨勢及投資風險研究報告》統計分析顯示:
一、2021-2025年半導體設備行業趨勢
1、技術發展趨勢分析
以半導體光刻膠為例,在光刻工藝中,光刻膠被均勻涂布在襯底上,經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝,將掩膜版上的圖形轉移到襯底上,形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。
光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求,半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以提高極限分辨率,世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別,光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先進的EUV(<13.5nm)線水平。
目前,半導體市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠,其中,g線和i線光刻膠是市場上使用量最大的。
2、產品發展趨勢分析
從半導體設備的核心產品光刻機、刻蝕機、PVD、CVD和氧化/擴散設備來看,各類半導體設備top3的企業中主要為美國、荷蘭與日本的企業,且各類半導體設備行業集中度極高,top3企業的合計市占率均在70%以上。其中光刻機主要由荷蘭的ASML領銜;LAM研究院則占據了刻蝕機50%以上的市場份額;美國的AMAT則是PVD和CVD的龍頭企業;氧化/擴散設備則以日本企業(日立、東京電子)為尊。
3、產品應用趨勢分析
半導體設備做為半導體全產業鏈的關鍵,關鍵運用于IC生產制造、IC測封。其中,IC生產制造包含晶圓制造和晶圓生產設備;IC測封關鍵用測封產開展購置,包含挑揀、檢測、帖片等階段。
二、2021-2025年半導體設備市場規模預測
圖表:2021-2025半導體設備市場規模預測
資料來源:中研普華產業研究院
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2021-2025年中國半導體設備行業供需趨勢及投資風險研究報告
本研究咨詢報告由中研普華咨詢公司領銜撰寫,在大量周密的市場調研基礎上,主要依據了國家統計局、國家商務部、國家發改委、國家經濟信息中心、國務院發展研究中心、國家海關總署、全國商業信息...
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