碳化硅行業發展趨勢 碳化硅發展現狀

• 2022年3月29日 ZhouWei來源：互聯網 969 61
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碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料，具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點，SiC器件較傳統硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優勢，廣泛應用于新能源車、光伏/風電、工控、射頻等領域。

碳化硅行業發展趨勢

碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料，具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點，SiC器件較傳統硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優勢，廣泛應用于新能源車、光伏/風電、工控、射頻等領域。由于技術遷移成本高、價格高企、產能緊張等因素，我們認為碳化硅仍處于滲透早期，當前主要應用于中高端新能源車、充電樁及基站射頻等領域，我們預計全球SiC器件市場規模2025年將達59.79億美元，較2020年翻5倍。

在半導體應用中，SiC主要用于電力電子器件的制造。從SiC器件制造流程順序來看，SiC器件的制造成本中，SiC襯底成本占比50%，SiC外延的成本占比25%，這兩大工序是SiC。

在上游原料供應方面，高純石英砂是碳化硅的主要原料之一。因高純石英砂的制備成本高、加工工藝要求高，因此目前全球具備批量生產高純石英砂的廠商較少。在國外廠商方面，尤尼明、The Quartz Corporation是主要供應商;在國內廠商方面，石英股份是目前國內生產高純石英砂龍頭企業。

從下游需求情況來看，2018-2019年，受新能源汽車、工業電源等應用的推動，全球電力電子碳化硅的市場規模從4.3億美元增長至5.64美元，Yole預測未來市場仍將因新能源汽車產業的發展而增長，預計2020年的市場規模將達6億美元。

碳化硅發展現狀

第三代半導體是國家2030規劃和“十四五”國家研發計劃確定的重要發展方向，是我國半導體產業彎道超車的機會，要重點扶持、協同攻關第三代半導體產業，可以在國內重點扶植3-5家世界級龍頭企業，加大整個產業鏈條的合作力度。

國內外各大半導體元器件企業紛紛加大了新產品的推廣力度，第三代半導體也開始頻頻出現在各地園區招商引資名單中。8月18日最新消息，碳化硅龍頭科銳(Cree)宣布2021年財年第四季度財報時透露，公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠，使其能夠充分利用未來幾十年的增長機遇。

2018年全球碳化硅市場只有4億美元，到2024年有望達到50億美元。碳化硅未來增量和存量市場上都會有爆發。

在SiC產業鏈中，龍頭企業的經營模式以IDM模式為主，主要的市場份額被德國Infineon、美國Cree、日本羅姆以及意法半導體占據;與國際巨頭相比，國內IDM廠商泰科天潤、瑞能半導體以及華潤微還有較大差距。

從全球碳化硅(SiC)襯底的企業進行情況來看，2018年，美國CREE公司占龍頭地位，市場份額達62%，其次是美國II-VI公司，市場份額約為16%。總體來看，在碳化硅市場中，美國廠商占據主要地位。

新能源汽車是SiC功率器件的主要增長點，充電樁也是，以直流充電樁為例，據CASA測算，電動汽車充電樁中的SiC器件的平均滲透率達到10%，2018年整個直流充電樁SiC電力電子器件的市場規模約為1.3億，較2017年增加了一倍多。

SiC功率器件存在很多優勢，未來發展空間也在逐漸增大，不過在發展SiC器件的過程中，還是存在不少問題，從近幾年的發展來看，國內外廠商還是研究機構，都在加大投入發展更有的技術和產品，相信未來SiC器件不管在性能還是價格等多方面都會更適應市場需求。

欲了解更多行業具體詳情，可以點擊查看中研普華研究報告《2021-2025年中國碳化硅行業競爭分析及發展前景預測報告》。

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