碳化硅項目集中開工 2026年車用碳化硅器件市場

• 黃江 2023年8月29日 來源：東方財富 983 62
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碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發電、充電樁、電力電子等領域。近年來，我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發展，一些項目已經落地實施。

碳化硅下游市場需求旺盛

隨著碳化硅(SiC)在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動了碳化硅加速量產。

碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發電、充電樁、電力電子等領域。近年來，我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發展，一些項目已經落地實施。

例如，在新能源汽車的高壓充電技術方面，碳化硅作為其中的關鍵材料，其需求正日益增長。碳化硅作為一種優良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優點，是實現高壓快充技術的核心材料，能夠顯著提高新能源汽車的充電效率和續航里程。目前碳化硅技術已經可以滿足現階段800V高壓快充的需要。

據悉，目前國內一些知名車企如小鵬、極狐等都已經推出了采用碳化硅材料的高壓快充車型。這些車型具備快速充電、長續航里程等優勢。

碳化硅作為第三代半導體材料擁有良好的發展前景，新能源汽車是其核心驅動力，其次為光伏及工控領域的器件應用。

市場分析機構Yole預計，全球碳化硅功率器件市場將從2021年的10.90億美元增長至2027年的62.97億美元，年復合增長率達34%。集邦咨詢則預計2026年車用碳化硅器件市場將達到39.4億美元。

全球碳化硅功率器件市場供應問題

3月初，埃隆·馬斯克在投資者大會上宣布：未來要削減特斯拉75%的碳化硅用量。而當年正是特斯拉率先在Model 3主驅的逆變器上使用碳化硅，一手開辟了碳化硅“上車”的先河。

業內分析，特斯拉之所以棄“碳”而行，可能是出于成本、產能等多方位考量做出的無奈選擇。有消息人士分析，此舉與其碳化硅供應商有很大關系，也有人認為電動汽車巨頭擔心碳化硅良品率低和供應能力不足。

碳化硅單晶制備一直是全球性難題，晶體生長工藝的穩定性難以保證。碳化硅整個產業鏈大致上可以分成襯底、外延、器件3類廠商，然而在這一環接一環的生產程序上，目前每個環節的良品率都不是很高，生產的襯底很難合格，導致最終的器件成本極高，同時性能也不穩定，產量難以保證。

新能源汽車對碳化硅的需求量很大，而供應又遲遲跟不上車企產能擴張的節奏。有國內碳化硅頭部廠商表示：“我們目前沒有多余碳化硅產能外供，雖然特斯拉喊出‘減碳’，但實際上碳化硅的使用量在逐年增加并沒有減少，市場需求強勁?！?/p>

江西新能源科技職業學院新能源汽車技術研究院院長張翔也表示：“相較于傳統硅材料，碳化硅材料性質更匹配高壓平臺，具備耐壓能力強、效率高、體積小等優勢，當前仍是新能源車電驅動方案的最優選擇。”

由此可見，減用碳化硅只是新能源汽車企業出于精打細算的綜合抉擇，并不是改弦更張、另起爐灶。

根據中研普華研究院《2022-2026年中國碳化硅行業競爭格局及發展趨勢預測報告》顯示：

碳化硅應用前景廣闊，國內企業也看準了這個賽道?！暗翘蓟杈w生長極其困難，20世紀90年代只有少數發達國家掌握晶體生長和加工技術，我國碳化硅技術起步相對較晚，目前國內企業正在碳化硅領域奮起直追。”陳小龍說。

以6英寸碳化硅襯底為例，國內良品率大概有40%，海外有60%～70%。另外，碳化硅半導體場效應晶體管分為平面類和溝槽類，在同等條件下，溝槽類更具備成本和性能優勢，但國內企業需要跨過巨大的專利鴻溝。

業內人士指出，當前碳化硅的下游需求依舊旺盛，特別是車用級碳化硅襯底產能仍偏緊，國內業界對于碳化硅國產替代的呼聲非常高。國家也意識到了這個問題，在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中提出，將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產業化進程，催生一批高速成長的新材料企業。更值得注意的是，目前已有要對中國禁售碳化硅等產業高精尖設備的跡象，所以碳化硅國產化之路勢在必行。

現在業內已經紛紛行動起來，布局碳化硅產業，加入碳化硅的國產化隊伍。據不完全統計，2022年國內新立項、簽約的碳化硅項目投資額超過476億元，而2018年這個數字還只有50億元。

業內人士指出，隨著未來兩三年產能密集釋放，國內碳化硅市場供需將會趨于平衡，成本將加速下降。屆時，國內碳化硅中低端產品的市場競爭或將更加激烈，業內需要在技術突破上重點發力，實現彎道超車和自主可控，縮小與國際巨頭的差距，爭取在碳化硅高端市場分得一杯羹。

功率半導體正從傳統硅基功率器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(金氧半場效晶體管)，走向以SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)為代表的時代。

在這條賽道上，企業融資并購、廠商增資擴產、新玩家跑步入場、新項目不斷涌現。

多位長期關注功率半導體發展的專業人士對《中國經營報》記者表示，伴隨著 5G、物聯網、新能源等行業的迅速發展，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體材料進入快速發展階段，市場前景廣闊。

由于 SiC器件具有耐高溫、低損耗、導熱性良好、耐腐蝕、強度大、高純度等優點，并且在禁帶寬度、絕緣擊穿場強、熱導率以及功率密度等參數方面要遠遠優于傳統硅基半導體。

與碳化硅一樣，氧化鎵同樣被業內所看好，但是，氧化鎵還有諸多技術瓶頸待突破。比如，由于高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，大尺寸氧化鎵單晶制備較難實現，距離真正規模化、商業化量產還需要一定時間。

根據TrendForce集邦咨詢《2023 SiC功率半導體市場分析報告》，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化， 2023年整體SiC功率元件市場規模有望增長至22.8億美元，年成長率為41.4%。同時，受惠于電動汽車及可再生能源等下游主要應用市場的強勁需求，2026年SiC功率元件市場規模有望達到53.3億美元。另Yole數據顯示，預計到2023年，全球碳化硅材料滲透率有望達到3.75%。

海內外巨頭也紛紛錨定了這一藍海市場。汽車半導體芯片巨頭瑞薩電子在日前宣布，將于2025年開始使用SiC來生產降低損耗的下一代功率半導體產品，計劃在目前生產硅基功率半導體的群馬縣高崎工廠進行量產，但具體投資金額和生產規模尚未確定。

值得注意的是，瑞薩電子此前很少涉及SiC相關業務，不過，作為新玩家，瑞薩社長兼CEO柴田英利表示，“在功率半導體上、我們起步非常慢。客戶對瑞薩IGBT的評價非常高、會將這些評價活用至SiC業務上?，F在SiC市場仍小，但將來毫無疑問會變得非常大。”

《2022-2026年中國碳化硅行業競爭格局及發展趨勢預測報告》由中研普華研究院撰寫，本報告對該行業的供需狀況、發展現狀、行業發展變化等進行了分析，重點分析了行業的發展現狀、如何面對行業的發展挑戰、行業的發展建議、行業競爭力，以及行業的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業的整體發展動態，對行業在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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