第三代半導體是指半導體材料的變化,從第一代、第二代過渡到第三代。第三代半導體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表,是5G時代的主要材料。
第三代半導體是指半導體材料的變化,從第一代、第二代過渡到第三代。第三代半導體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表,是5G時代的主要材料。第三代半導體的性能優勢體現在:耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導電性能強、工作速度快、工作損耗低。 第一代半導體材料是以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,目前大部分半導體是基于硅基的。
第二代半導體材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)為代表,是4G時代的大部分通信設備的材料。
第三代半導體相關概念股:長方集團、豫金剛石、聚燦光電等。
第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev),也稱為高溫半導體材料。
從應用領域看,第三代半導體主要有三個應用方向,為光電子、電力電子、微波射頻。光電子可用于激光顯示、環境監測、紫外光源等領域,電力電子可用于工業機電、新能源并網、軌道交通等領域,微波射頻可用于遙感、雷達、衛星通訊等領域。
近日,2020世界半導體大會暨國際第三代半導體產業發展高峰論壇上,國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露:國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃都已經明確,第三代半導體是重要發展方向,現在到了動議討論實施方案的階段。
新基建帶來廣闊空間從20世紀80年代起,第三代半導體材料催生了照明、顯示、藍光存儲等光電領域的新需求和新產業。近十年來,第三代半導體材料應用的熱點轉向電子器件領域,在光伏逆變器、電動汽車驅動模塊、UPS、電力變換、電機驅動等涉及電力、電器、電子和新能源的領域都有著重要的應用。
新基建帶來廣闊空間從20世紀80年代起,第三代半導體材料催生了照明、顯示、藍光存儲等光電領域的新需求和新產業。近十年來,第三代半導體材料應用的熱點轉向電子器件領域,在光伏逆變器、電動汽車驅動模塊、UPS、電力變換、電機驅動等涉及電力、電器、電子和新能源的領域都有著重要的應用。
隨著第三代半導體的戰略意義被廣泛認知,國內廠商加速布局,形成了包括襯底、外延、器件設計、流片、封裝、系統在內的產業鏈條。
《2020-2025年中國第三代半導體行業發展現狀分析與投資前景預測研究報告》由中研普華研究院撰寫,本報告依據全國及海外多種相關報紙雜志的基礎信息等公布和提供的大量資料和數據,客觀、多角度地對中國第三代半導體市場進行了分析研究。報告在總結中國第三代半導體行業發展歷程的基礎上,結合新時期的各方面因素,對中國第三代半導體行業的發展趨勢給予了細致和審慎的預測論證。報告資料詳實,圖表豐富,既有深入的分析,又有直觀的比較,為第三代半導體企業在激烈的市場競爭中洞察先機,能準確及時的針對自身環境調整經營策略。
報告對于第三代半導體產品生產企業、經銷商、行業管理部門以及擬進入該行業的投資者具有重要的參考價值,對于研究我國第三代半導體行業發展規律、提高企業的運營效率、促進企業的發展壯大有學術和實踐的雙重意義。
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2020-2025年版半導體元件行業兼并重組機會研究及決策咨詢報告
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