光刻膠是國際上技術門檻最高的微電子化學品之一,在大規模集成電路的制造過程中,光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝,占芯片制造時間的40%~50%,光刻膠是光刻工藝得以實現選擇性刻蝕的關鍵材料。
光刻膠是國際上技術門檻最高的微電子化學品之一,在大規模集成電路的制造過程中,光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝,占芯片制造時間的40%~50%,光刻膠是光刻工藝得以實現選擇性刻蝕的關鍵材料。光刻膠是一種有機化合物,它被紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面,而后被干燥成膠膜。
光刻膠,又稱為光致抗蝕劑,是利用光化學反應經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質,通過曝光其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料。光刻膠是PCB、LCD和半導體等各應用行業的上游材料,一般相同用途的光刻膠,由于投資大、市場比下游應用行業小,行業集中度非常高,只能有幾家企業生存。光刻膠專用化學品具有相似特征,即品種多、用量小、品質要求高,投資相對普通化學品大,行業集中度高。
而半導體光刻膠技術壁壘較高、市場高度集中,幾乎被日美企業壟斷,生產商主要有日本JSR、信越化學工業、日本TOK、陶氏化學等。
我國在2000年左右才開始著手光刻膠的研發,目前整體還處于起步階段,工藝技術水平與國外企業有很大的差距,尖端材料及設備仍依賴進口。例如,京東方目前已建立17個面板顯示生產基地,其中有16個已經投產,但京東方用于高端面板的光刻膠仍然由國外企業提供。目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家,包括陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化學、LG化學等等,中國公司在光刻膠領域也缺少核心技術。
普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小,入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能,人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。伴隨著新一代曝光技術(NGL)的研究與發展,為了更好的滿足其所能實現光刻分辨率的同時,光刻膠也相應發展。先進曝光技術對光刻膠的性能要求也越來越高。
在一個供大于求的需求經濟時代,企業成功的關鍵就在于,是否能夠在需求尚未形成之時就牢牢地鎖定并捕捉到它。那些成功的公司往往都會傾盡畢生的精力及資源搜尋產業的當前需求、潛在需求以及新的需求。隨著光刻膠行業競爭的不斷加劇,國內優秀的行業企業愈來愈重視對市場的研究,特別是對企業發展環境和客戶需求趨勢變化的深入研究。正因為如此,一大批國內優秀的行業企業迅速崛起,逐漸成為行業中的翹楚!
光刻膠行業研究報告結合光刻膠行業的背景,深入而客觀地剖析了中國光刻膠行業的發展現狀、發展規模和競爭格局;分析了行業當前的市場環境與行業競爭格局、產品的市場需求特征、行業領先企業的經營情況、行業未來的發展趨勢與前景;同時,佐之以全行業近5年來全面詳實的一手連續性市場數據,讓您全面、準確地把握整個行業的市場走向和發展趨勢。
同時,本報告根據光刻膠行業的發展軌跡及多年的實踐經驗,對行業未來的發展趨勢做出審慎分析與預測,是光刻膠行業企業、科研單位、銷售企業、投資企業準確了解行業當前最新發展動態,把握市場機會,做出正確經營決策和明確企業發展方向不可多得的精品。未來光刻膠行業將如何發展?請關注中研普華研究院報告《2021-2026年版光刻膠項目可行性研究報告》。
2020-2025年中國光刻膠行業現狀與發展前景報告
光刻膠是國際上技術門檻最高的微電子化學品之一,在大規模集成電路的制造過程中,光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝,占芯片制造時間的40%~50%,光刻膠是光刻工藝得以實現選擇...
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