在電子工業中,離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術,也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中,可以說是一種必不可少的手段。
離子注入設備行業前景、離子注入設備市場規模如何?在電子工業中,離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術,也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中,可以說是一種必不可少的手段。
離子注入是現代集成電路制造中的一種非常重要的摻雜技術,它以離子加速的方式將摻雜元素注入到半導體晶片內部,改變其導電特性并最終形成所需的器件結構。離子注入技術是一種純凈的表面處理技術,它無需在高溫環境下進行,故不會改變加工工件的外形和表面光潔度。
離子注入的方法就是在真空中、低溫下,把雜質離子加速(對Si,電壓≥105 V),獲得很大動能的雜質離子即可以直接進入半導體中;同時也會在半導體中產生一些晶格缺陷,因此在離子注入后需用低溫進行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質濃度分布一般呈現為高斯分布,并且濃度最高處不是在表面,而是在表面以內的一定深度處。
據中研產業研究院公布《2021-2026年離子注入設備市場發展現狀調查及供需格局分析預測報告》顯示
離子注入的優點是能精確控制雜質的總劑量、深度分布和面均勻性,而且是低溫工藝(可防止原來雜質的再擴散等),同時可實現自對準技術(以減小電容效應)。
在工藝流程中,光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。在做離子注入時,有光刻膠保護的地方,離子束無法穿透光刻膠;在沒有光刻膠的地方離子束才能被注入到襯底中實現摻雜。因此,用于離子注入工藝的光刻膠必須要能有效地阻擋離子束。
離子注入機也是集成電路制造前工序中的關鍵設備,半導體為改變載流子濃度和導電類型需要對半導體表面附近區域進行摻雜,而離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制,使得離子注入在半導體制造中被廣泛應用。
全球離子注入機的領先企業主要分布在中國、美國和日本,其中,中國大陸擁有凱世通和中科信兩家離子注入機行業的龍頭企業,凱世通在光伏離子注入機方面遙遙領先。而美國則擁有近乎壟斷IC離子注入機市場的應用材料,以及漢辰科技、Axcelis、intevac等企業。日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機知名廠商。
根據數據顯示,2020年全球半導體設備行業市場規模已經達到710.6億美元,同比上升18.93%。預計2021年原始設備制造商的半導體制造設備全球銷售總額將達到1030億美元的新高,比2020年的710億美元的歷史記錄增長44.7%。預計2022年全球半導體制造設備市場總額將擴大到1140億美元。
離子注入設備行業研究報告旨在從國家經濟和產業發展的戰略入手,分析離子注入設備未來的政策走向和監管體制的發展趨勢,挖掘離子注入設備行業的市場潛力,基于重點細分市場領域的深度研究,提供對產業規模、產業結構、區域結構、市場競爭、產業盈利水平等多個角度市場變化的生動描繪,清晰發展方向。
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2021-2026年離子注入設備市場發展現狀調查及供需格局分析預測報告
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