據國外媒體報道,研究機構在最新的報告中預計,DRAM 今年仍將會是銷售額最高的半導體產品,接近電腦 CPU 銷售額 1.5 倍。
12月7日,韓國半導體公司SK海力士表示,近期已成功研發出基于三層存儲單元(TLC)的176層512Gb(千兆位)NAND閃存。
據韓聯社12月7日報道,SK海力士介紹,第三代4D NAND閃存達到業界最高水平,比上一代128層產品提高了35%以上生產率,增強了產品成本競爭力。另外,SK海力士新產品的讀取速度比上一代加快20%,數據傳輸速度達到每秒1.6Gb,提高了33%。
上月,SK海力士于向控制器企業提供了NAND樣品,計劃明年6月左右批量生產,并依次推出消費者級SSD、企業級SSD等產品,擴大各應用領域的市場。另一方面,韓國的三星電子也正在研發第七代V-NAND,預計明年批量生產。
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。
根據中研普華《2020-2025年中國NAND閃存行業市場調研分析及投資戰略研究咨詢報告》分析:
據國外媒體報道,研究機構在最新的報告中預計,DRAM 今年仍將會是銷售額最高的半導體產品,接近電腦 CPU 銷售額 1.5 倍。
從研究機構的預計來看,DRAM 今年的銷售額將達到 652.15 億美元,將連續 4 年成為銷售額最高的半導體產品,而在明年,預計依舊會是最高的。
在半導體產品中,銷售額僅次于 DRAM 的將是 NAND 閃存,研究機構預計其今年的銷售額為 551.54 億美元,較 DRAM 低 100.64 億美元。
雖然 NAND 閃存今年的銷售額依舊不是最高的,但研究機構預計同比增長率將達到 25%,在半導體產品中是最高的。
銷售額在 DRAM 和 NAND 閃存之后的,將是電腦 CPU,研究機構預計銷售額為 438.48 億美元,較 DRAM 低 213.67 億美元,較 NAND 閃存則低 113.06 億美元。
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2020-2025年中國NAND閃存行業市場調研分析及投資戰略研究咨詢報告
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性N...
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