中國離子注入行業市場發展前景預測2023

• 陳澤芳 2023年6月2日 來源：互聯網 658 38
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離子注入的雜質濃度分布一般呈現為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內的一定深度處。離子注入技術是一個方興未艾的新興產業，硬件設備的處理能力和效率有待進一步提高，在軟件(離子注入材料表面改性技術)方面，也有待進一步深化和細化，其應用范圍也

離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發展和廣泛應用的一種材料表面改性技術。其基本原理是：用能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發生一系列物理的和化學的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、結構和性能發生變化，從而優化材料表面性能，或獲得某些新的優異性能。

離子注入的雜質濃度分布一般呈現為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內的一定深度處。離子注入技術是一個方興未艾的新興產業，硬件設備的處理能力和效率有待進一步提高，在軟件(離子注入材料表面改性技術)方面，也有待進一步深化和細化，其應用范圍也有待不斷擴大。

中國離子注入行業市場發展前景預測2023

近年來，中國半導體行業發展迅速。今年二十大報告提出，注重高質量發展目標，解決重要領域“卡脖子”問題至關重要。而美國對半導體芯片產業鏈限制的持續加碼，也促使半導體產業鏈各環節國產替代比率的大幅提升。

IC工藝對應流程主要分為硅片制造、前道與后道芯片制造環節。其中，前道芯片制造是被卡脖子最嚴重的環節，設備種類最多、復雜度最高，其流程主要包含薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、氧化擴散、CMP以及金屬化。據統計，2022年全球半導體設備市場規模高達1085億美金，同比增長5.9%。其中，中國大陸地區為全球最大的設備市場，2022年市場規模已達到320億美元。放眼國內主制程設備、零部件以及量測設備公司，高鵠資本通過深入的產業鏈分析，提出創業公司核心壁壘與關鍵指標的判斷標準，希望與行業內的投資人、企業家們共同交流、探討。

在半導體產業鏈中，上游為IC設計、半導體材料、半導體設備;中游為半導體制造、半導體封測;下游是各種應用領域。而半導體設備是半導體產業鏈的關鍵支撐，其技術的實施依賴于各種精密零部件，精密零部件的材料與加工技術是集成電路核心技術的載體，是半導體產業的基石，幾乎貫穿了半導體生產的整個流程。隨著行業對制造設備精密零部件的性能要求越來越高，許多加工技術的精度目前已經趨于物理極限，泛半導體領域的應用是目前先進陶瓷頂尖技術領域之一。

根據中研普華產業研究院發布的《2020-2025年中國離子注入行業市場發展前景預測與投資戰略規劃研究報告2020-2025年中國離子注入行業市場發展前景預測與投資戰略規劃研究報告》顯示：

離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現象叫做濺射;而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射;另外有一種現象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現象叫作離子注入。在電子工業中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術，也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。

離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質離子加速(對Si，電壓≥105 V)，獲得很大動能的雜質離子即可以直接進入半導體中;同時也會在半導體中產生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質濃度分布一般呈現為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內的一定深度處。離子注入的優點是能精確控制雜質的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來雜質的再擴散等)，同時可實現自對準技術(以減小電容效應)。

全球離子注入機的領先企業主要分布在中國、美國和日本，其中，中國大陸擁有凱世通和中科信兩家離子注入機行業的龍頭企業，凱世通在光伏離子注入機方面遙遙領先。而美國則擁有近乎壟斷IC離子注入機市場的應用材料，以及漢辰科技、Axcelis、intevac等企業。日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機知名廠商。

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