功率半導體行業產業鏈分析
一、產業鏈結構分析
功率半導體的產業鏈可以大致分為電路設計、芯片制造、封裝及測試三個主要環節。
芯片設計:芯片設計是芯片的研發過程,是通過系統設計和電路設計,將設定的芯片規格形成設計版圖的過程;芯片設計公司對芯片進行寄存器級的邏輯設計和晶體管級的物理設計后,將不同規格和效能的芯片提供給下游廠商。
晶圓制造:晶圓制造指在制備的晶圓材料上構建完整的物理電路。
封裝測試:是將生產出來的合格晶圓進行切割、焊線、塑封,使芯片電路與外部器件實現電氣連接,并為芯片提供機械物理保護,并利用集成電路設計企業提供的測試工具,對封裝完畢的芯片進行功能和性能測試。
圖表:半導體產業鏈
數據來源:中研普華產業研究院
碳化硅產業鏈
國內產業鏈初具雛形碳化硅產業鏈可分為三個產業環節,一是上游襯底,二是中游外延片,三是下游器件制造。
國外供應鏈體系主要有:
襯底:Cree、Rohm、EPISIL
EPI 外延片:Cree、Rohm、英飛凌、GE、三菱器件:英飛凌、Cree、Rohm、意法半導體、美高森美、GenSiC、三菱
碳化硅器件方面,國際上碳化硅 SBD、碳化硅 MOSFET 均已實現量產,產品耐壓范圍 600v-1700v,單芯片電流超過 50A。
國內已經形成相對完整的碳化硅產業鏈體系。
襯底材料:山東天岳、天科合達 、河北同光晶體、北京世紀金光
EPI 硅片:東莞天域半導體、廈門瀚天天成
器件:泰科天潤、瀚薪、揚杰科技、中電 55 所、中電 13 所、科能芯、中車時代電氣
模組:嘉興斯達、河南森源、常州武進科華、中車時代電氣
目前碳化硅市場處于起步階段,國內廠商與海外傳統巨頭之間差距較小,國內企業有望在本土市場應用中實現彎道超車。
國內企業已經在碳化硅 SBD 形成銷售收入,碳化硅 MOSFET 的產業化尚在原型器件研制階段。
另外國內已經開發出 1700V/1200A的混合模塊(硅 IGBT 與碳化硅 SBD 混合使用)、4500V/50A 等大容量全 SiC 功率模塊。
二、主要環節的增值空間
國家集成電路產業投資基金簡介2014年6月24日《國家集成電路產業發展推進綱要》正式發布實施,明確提出設立國家產業投資基金。同年9月26日國家集成電路產業投資基金股份有限公司成立,注冊資本987.2億元,公司實際融資1378億元。至2017年11月底,大基金已實際出資約人民幣794億元,成為IC領域快速投資促進上、下游協同發展的重要資金來源。在大基金的帶動下各地提出或已成立子基金,合計總規模超過3,000億元,相當于實現近1:5的放大效應。目前大基金二期已經在募資中。大基金二期籌資設立方案總規模為1500-2000億元。其中,中央財政直接出資200-300億元,國開金融公司出資300億元左右,中國煙草總公司出資200億元左右,中國移動公司等央企出資200億元左右,中國保險投資基金出資200億元,國家層面出資不低于1200億元。
目前,大基金在制造、設計、封測、裝備材料等產業鏈各環節進行投資布局全覆蓋,各環節承諾投資占總投資的比重分別為 63%、20%、10%、7%。
圖表:大基金在制造、設計、封測、裝備材料等產業鏈各環節進行投資布局
數據來源:中研普華產業研究院
回顧過去,全球 IC 封測行業增長明顯受到經濟波動的影響,但增長速率高于半導體行業的整體水平,2010 年到 2017 年復合增長率為 3.5%。封測行業屬于電子代工行業,具有明顯的規模效應,因此近年全球封測行業并購事件接連不斷。受惠于政策資金的大力扶持,我國封測企業也逐步開啟海內外并購步伐,不斷擴大公司規模,其中長電科技聯合產業基金、芯電半導體收購新加坡封測廠星科金朋,華天科技收購美國 FCI,通富微電聯合大基金收購AMD 蘇州和檳城封測廠,國內封測企業借助出海并購,行業競爭力顯著提升。
相比半導體其他子行業,大陸封測行業發展較早,產值占比較大,國家一直通過專項、政策和資金進行長期有效的扶持。大陸封測產業集群效應顯現,本土企業發展迅速。大陸是全球第一大 IC 消費市場,產業結構封測占比最高。多年來,我國封測行業成長率顯著高于全球平均水平,未來受設計與制造的國產化轉移趨勢影響,我國封測行業將獲得進一步加速的動力。國內上市公司巨頭已躋身世界一流行業,短期內的財務波動宜淡化。
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2018-2023年中國功率半導體行業供需預測及投資潛力研究報告
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