中國經濟基本面穩定，但動力和質量較為不足，IGBT行業發展如何受限？
從20世紀80年代至今，IGBT芯片經歷了6代升級，從平面穿通型到溝槽型電場到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從600V提高到6...
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點近幾年中國IGBT產業在國家政策推動及市場牽引下得到迅速發展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產業鏈，IGBT國產化的進程加快，有望擺脫進口依賴。
2018年初，中車時代電氣公司研制的4500V/3000A壓接式IGBT順利通過評審，標志著國產大容量壓接式IGBT從技術驗證轉入工程應用階段。
IGBT器件應用范圍愈發廣泛，涉及領域幾乎涵蓋社會的各個方面。中國IGBT器件市場需求增長空間巨大。2017年中國IGBT市場規模為123.65億元。預計2023年行業整體市場規模將達到超過330億元。
IGBT模塊封裝是將多個IGBT集成封裝在一起，以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性，體積更小、效率更高、可靠性更高是市場對IGBT模塊的需求趨勢，這就有待于IGBT模塊封裝技術的開發和運用。
國內IGBT在設備、材料、芯片設計和晶圓制造上與國際大廠仍有一定的差距，國產IGBT芯片的主要工藝設備、襯底片都還要從國外采購，特別是在大功率模塊封裝方面，在產品的功率密度、散熱性能、長期可靠性以及模塊設計創新方面，技術差距仍然較大。不過，在后道封測環節，因國內封測廠有給國際大廠代工的經驗，后道技術差距正逐漸縮小。受國家集成電路產業扶持政策拉動，預計2023年，行業規?；驅⑦_到4346億元。
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IGBT行業競爭形勢嚴峻，如何合理布局才能立于不敗？
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IGBT技術現狀及未來主要的三個市場應用前景分析 
