碳化硅在電力電子應用中表現出色,可用于高壓和高溫環境下的功率電子器件。隨著可再生能源的普及和電力轉型的推進,碳化硅晶圓在電力電子市場中的需求不斷增加。
碳化硅作為第三代半導體材料,是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想材料,已廣泛應用于新能源汽車、光伏、風電、軌交、5G等領域。其中在新能源汽車領域,碳化硅主要用于主驅逆變器、OBC、DC/DC和充電樁,可簡化供電網絡、減少逆變體積、降低損耗并提高汽車續航。
近年來,國內碳化硅產業發展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產以及8英寸襯底的研發進度大幅拉近了與海外領先玩家的差距,另一方面是產能擴張上的投入越來越大。這使得國內在全球碳化硅產業中,無論是從市場需求,還是產業鏈上游的產能、技術上都處于重要地位。
根據中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國碳化硅行業發展現狀分析及投資前景預測研究報告》顯示:
2024碳化硅行業發展現狀分析及及產業趨勢
碳化硅產業鏈中,碳化硅襯底在終端器件的成本占比近50%,是全產業鏈的關鍵環節,也是實現碳化硅器件系統性降本的主要途徑。與硅不同,碳化硅長晶難度非常高,控制難度極大,從1978年PVT長晶方法被提出到目前40余年,業界碳化硅襯底的綜合良率最高也不足70%,因此仍然需要不斷的技術創新和迭代來推動行業發展。
碳化硅在電力電子應用中表現出色,可用于高壓和高溫環境下的功率電子器件。隨著可再生能源的普及和電力轉型的推進,碳化硅晶圓在電力電子市場中的需求不斷增加。
今年來,寶馬、極氪等與安森美達成碳化硅長期供貨協議,Wolfspeed與梅賽德斯也達成碳化硅器件供應合作; 4月份小鵬正式推出了新一代技術平臺SEPA 2.0扶搖全域智能進化架構,采取全域800V高壓碳化硅平臺,綜合效率達92%;哪吒GT搭載800V碳化硅電驅;東風汽車發布馬赫E品牌,將搭載自主開發的碳化硅控制器,還將于年底量產碳化硅模塊。
從技術上來看,碳化硅晶圓面積的擴大之路并不好走。全球碳化硅(SiC)晶圓主要制造商包括Wolfspeed、ROHM Group (SiCrystal)、SK Siltron、Resonac、Coherent、北京天科合達、STMicroelectronics、SICC、河北同光、CETC、三安光電等。全球碳化硅(SiC)晶圓市場非常集中,其中全球top5制造商超過78%市場份額。
麥肯錫的報告中顯示,中國碳化硅市場上,80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應商。但考慮到地緣政治以及供應穩定,中國汽車OEM正在加速尋求本土供應商,預計到2030年,中國汽車OEM廠商將廣泛轉向本地供應商采購,從目前的約15%提高到約60%。
11月,國內碳化硅產業迎來了多個產能擴張項目以及襯底突破新進展,首先是在碳化硅襯底方面。正如硅基芯片所用到的硅晶圓,尺寸從6英寸、8英寸發展至12英寸一樣,對于碳化硅功率器件所用到的襯底,同樣在往大尺寸發展。8英寸襯底的有效利用率高,推動產業鏈降本增效的效果明顯,尤其是襯底在碳化硅產業鏈中所占價值可以高達50%的情況下。襯底尺寸越大,單位襯底可以制造的芯片數量越多,單位芯片成本就越低。因此推動8英寸襯底的量產,就是在加速降低碳化硅器件的成本。
近日,碳化硅襯底供應商超芯星完成數億元C輪融資,本輪融資由知名國際投資機構領投,商絡電子、老股東渶策資本跟投。
SiC作為新興產業,短期內供不應求,國內外玩家積極擴產,規劃產能迅速攀升。但整體良率偏低,規劃產能并不等于實際交付能力;此外,目前主流商用的SiC生產方法為PVT(物理氣相傳輸法),但長晶速度慢,缺陷控制難度大,導致了SiC襯底的成本居高不下(占SiC器件制造成本的50%)。產業界積極推進LPE(液相法)等方法的研發,減少缺陷密度,提升良率、降低成本。我們認為,短期內無需過度憂慮SiC產能過剩的問題,改善良率是襯底企業的當務之急,長期存在產能出清的可能。
碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現出色,因此受到這些應用領域的廣泛關注,如電力電子、電動汽車、無線通信和軍事領域。需求的增長推動了碳化硅晶圓市場的擴張。
在激烈的市場競爭中,企業及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。中研網撰寫的碳化硅行業報告對中國碳化硅行業的發展現狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析,并從行業的政策環境、經濟環境、社會環境及技術環境等方面分析行業面臨的機遇及挑戰。同時揭示了市場潛在需求與潛在機會,為戰略投資者選擇恰當的投資時機和公司領導層做戰略規劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據,同時對政府部門也具有極大的參考價值。
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2024-2029年中國碳化硅行業發展現狀分析及投資前景預測研究報告
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