砷化鎵龍頭股 砷化鎵市場需求趨勢及投資環境評估

• 2021年10月17日 WuYaNan來源：互聯網 458 23
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在新能源汽車剛性需求驅動下，碳化硅產業鏈在實現綜合成本優勢之后，有望迎來爆發式增長;砷化鎵未來仍將繼續主導sub-6G手機射頻，國內PA廠商的發展帶來本土砷化鎵代工需求;GaN在5G宏基站和消費級快充上將取得大發展。

砷化鎵是繼單晶硅之后的第二代半導體材料，是目前最重要、最具發展前途的化合物半導體材料，也是科學家研究最深入、應用最廣泛的半導體材料。砷化鎵由于特殊性能還正在微電子領域、光電子、半導體照明領域以及軍事工業、宇航工業、計算機等尖端科技領域發揮著越來越大的作用。砷化鎵的其它用途也還正在被開發。

砷化鎵市場需求趨勢及投資環境評估

國務院頒布《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出推進碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展，集成電路產業是信息產業的基礎，是關系著國民經濟和社會發展全局的基礎性、先導性和戰略性產業。在國家宏觀政策扶持和市場需求提升的推動下，國產替代集成電路產業發展迅猛。

相比硅半導體器件，以氮化鎵和砷化鎵為代表的化合物半導體具有大功率、高頻率、寬禁帶、抗輻射等方面的優勢，特別適用于制造射頻器件、光電子器件、電力電子器件等，在5G移動通信、物聯網、汽車電子、光纖通信、人工智能等新興市場具有廣泛的應用價值，因此，第二代\第三代化合物半導體高性能芯片研制將迎來加速發展，成為支撐自主可控信息產業的核心力量，獲得新的發展機遇。

在新能源汽車剛性需求驅動下，碳化硅產業鏈在實現綜合成本優勢之后，有望迎來爆發式增長;砷化鎵未來仍將繼續主導sub-6G手機射頻，國內PA廠商的發展帶來本土砷化鎵代工需求;GaN在5G宏基站和消費級快充上將取得大發展。砷化鎵龍頭股重點標的：三安光電(化合物半導體全產業鏈)、華潤微(碳化硅器件)。

化合物半導體材料在電子遷移速率、臨界擊穿電場、導熱能力等特性上具有獨特優勢。砷化鎵PA平均單機價值從4G的3.25美元增加至5G的7.5美元，砷化鎵晶圓市場規模從2019年的2億美元提升至2025年的3.5億美元，核心受益環節是代工廠和射頻IDM。碳化硅成本高昂及可靠性問題是阻礙碳化硅發展的最大障礙。兩年之內，電動車的快速發展或將造成全球碳化硅襯底的供需失衡。假設未來五年碳化硅模塊價格每年下降10%，IGBT價格每年下降5%，電池成本每年下降10%

砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料，但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。2020年全球砷化鎵(GaAs)晶圓市場規模為2.55億美元。

根據中研普華研究院《中國砷化鎵行業深度發展研究與“十四五”企業投資戰略規劃報告》報告顯示：

報告目錄 CONTENTS

第一章 砷化鎵行業相關概述

第三節 砷化鎵行業發展成熟度分析

一、行業發展周期分析

二、行業市場成熟度

第二章 砷化鎵行業產業鏈分析

第一節 砷化鎵產業鏈結構分析

第二節 砷化鎵行業上游行業分析

一、砷化鎵襯底材料行業發展現狀

二、砷化鎵外延片行業發展現狀

三、砷化鎵IC設計行業發展現狀

第三節 砷化鎵行業下游行業分析

一、LED行業發展現狀

二、5G基站行業發展現狀

三、智能手機行業發展現狀

第三章 砷化鎵行業市場環境及影響分析

第一節 砷化鎵行業政治法律環境

一、行業管理體制分析

二、行業主要法律法規

三、行業主要政策動向

第二節 行業經濟環境分析

《中國砷化鎵行業深度發展研究與“十四五”企業投資戰略規劃報告》研究全球與中國市場砷化鎵(GaAs)晶片的發展現狀及未來趨勢，分別從生產和消費的角度分析砷化鎵(GaAs)晶片的主要生產地區、主要消費地區以及主要的生產商。重點分析全球與中國市場的主要廠商產品特點、產品規格、價格、產量、產值及全球和中國市場主要生產商的市場份額。

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