(砷化鎵)半導體激光器件市場研究：到2024年全球砷化鎵元件市場規模達157.1億美元

• 吳亞楠 2024年1月3日 來源：互聯網 781 47
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隨著新一輪科技革命與產業變革的推進，我國集成電路產業發展勢頭更趨積極，市場規模進一步擴張，產業鏈企業逐步發展壯大。

作為高端制造領域的「皇冠明珠」，國民經濟和社會發展的戰略基石，集成電路產業的發展一直備受關注。由于GaAs的電子遷移率要比硅大5到6倍，這就使得其在制作微波器件和高速數字電路方面得到重用應用。用GaAs制成的半導體器件具有高頻、高溫和低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等諸多優點。

隨著激光技術進步，市場對激光器的光電轉化效率、能耗、傳輸量等要求不斷提升，與歐美發達國家相比，我國半導體激光器在市場應用、核心技術、高端產品供應等方面仍存在一定差距，國內企業應加大技術、產品研發投入，提高創新能力，積極尋求高端半導體激光器國產化替代。

根據中研普華研究院撰寫的《2024-2029年(砷化鎵)半導體激光器件行業投資價值評估分析報告》顯示：

(砷化鎵)半導體激光器件市場競爭及前景研究

半導體激光器行業受益于快速增長的市場需求。隨著通信技術的發展，光纖通信的普及和5G網絡的建設，對高速、高效的光通信設備需求不斷增加。此外，醫療美容、材料加工、激光雷達等領域對激光器的需求也在不斷擴大，推動了行業的發展。半導體激光器行業具有較快的技術創新速度和產品升級換代。隨著研發投入的增加和技術的不斷突破，新型的高功率、高效能、高穩定性的半導體激光器產品不斷涌現。

我國半導體激光加工產業可以分為四個比較大產業帶，珠江三角洲、長江三角洲、華中地區和環渤海地區。這四個產業帶側重點不同，珠三角以中小功率激光加工機為主，長三角以大功率激光切割焊接設備為主，環渤海以大功率激光熔覆和全固態激光為主，以武漢為首的華中地區則覆蓋了大、中、小激光加工設備。

半導體激光器行業受益于快速增長的市場需求。隨著通信技術的發展，光纖通信的普及和5G網絡的建設，對高速、高效的光通信設備需求不斷增加。此外，醫療美容、材料加工、激光雷達等領域對激光器的需求也在不斷擴大，推動了行業的發展。

半導體激光器行業具有較快的技術創新速度和產品升級換代。隨著研發投入的增加和技術的不斷突破，新型的高功率、高效能、高穩定性的(砷化鎵)半導體激光器件產品不斷涌現。

砷化鎵是第二代半導體材料,主要用于無線通訊等領域。相較于常見的硅半導體,砷化鎵半導體具有高頻、抗輻射、耐高電壓等特性,因此廣泛應用在主流的商用無線通訊、光通訊以及先進的國防、航空及衛星用途上,其中無線通訊的普及更是催生砷化鎵代工經營模式的重要推手。以手機與無線網路(Wi-Fi)為例,系統中的無線射頻模組必定含有的關鍵零組件即是功率放大器(Power Amplifier)、射頻開關器(RF Switch)及低雜訊放大器(Low Noise Amplifier)等,目前射頻功率放大器極大部分是以砷化鎵半導體制作。

目前，半導體激光器的最大應用是作為光纖激光器和固體激光器的泵浦源。作為光纖激光器泵源的半導體激光器，提高單元功率能夠從根本上簡化泵浦系統的結構或提高泵浦功率水平。隨著光纖激光器和固體激光器輸出功率越來越高，對半導體泵浦源的功率也提出了更高的要求。

半導體激光器上游主要是芯片、特種光纖、光柵、激光晶體等產品。從產業鏈上游來看，目前芯片、特種光纖、光柵、激光晶體等上游零部件仍被貳陸、lumentum、美國光譜物理等國外廠商壟斷，國內雖然涌現了瑞波光電、長光華芯、福晶科技，但國內企業從產品豐富程度到技術水平還普遍存在著一定差距，產業對外依存度仍然存在，國內半導體激光器產業整體上游供應商議價能力較弱。

(砷化鎵)半導體激光器件行業市場競爭

日本企業在全球半導體激光器市場中占據領先地位，主要得益于其在半導體材料、芯片制造、封裝技術等方面的優勢，以及其在通信、顯示、醫療等領域的穩定客戶基礎。代表性的日本企業有索尼、日亞化學、三菱電機、日立等。

美國企業在全球半導體激光器市場中也有較強的競爭力，主要得益于其在高功率半導體激光器、可調諧半導體激光器等方面的技術創新，以及其在工業、軍事等領域的優勢地位。代表性的美國企業有II-VI公司、Lumentum、Coherent、IPG光電等。

中國企業在全球半導體激光器市場中也有一定的影響力，主要得益于其在低功率半導體激光器方面的成本優勢，以及其在國內市場的快速發展。代表性的中國企業有福晶科技、長光華芯、光庫科技、奧普光電等。

其他國家和地區的企業在全球半導體激光器市場中也有一定的份額，主要包括德國、韓國、臺灣等。代表性的企業有德國的OSRAM、韓國的LGInnotek、臺灣的晶元光電等。

(砷化鎵)半導體激光器件行業前景

國內集成電路產業的發展離不開政策扶持和幫助，不管是從國際競爭的角度考慮，還是為了盡快從疫情中復蘇，通過政策手段支撐集成電路產業穩步發展至關重要。

2020年以來，國內多條與集成電路產業相關的政策出臺。具體來看，2020年3月，工信部、發改委、財政部、稅務總局四部門聯合發布通知，為深入推進行政審批制度改革，決定廢止《集成電路設計企業認定管理辦法》將為集成電路設計企業帶來直接利好。

隨著新一輪科技革命與產業變革的推進，我國集成電路產業發展勢頭更趨積極，市場規模進一步擴張，產業鏈企業逐步發展壯大。

砷化鎵半導體因其材料特性而成為無線通訊、光通訊以及先進的國防、航空及衛星之重要關鍵組件,亦同時建構不同于硅等其他半導體之晶圓代工技術、設計流程與驗證模式以滿足無線通訊系統的快速發展,進而維持其領域之獨占性與獨特性。

根據Yole預計,2018-2024年,全球砷化鎵元件市場規模年均復合增長速度為10%,其中微電子領域為CAGR為3%,光電子領域CAGR為54%。到2024年,全球砷化鎵元件市場規模將達到157.1億美元。

在激烈的市場競爭中，企業及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。中研網撰寫的(砷化鎵)半導體激光器件行業報告對中國(砷化鎵)半導體激光器件行業的發展現狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析，并從行業的政策環境、經濟環境、社會環境及技術環境等方面分析行業面臨的機遇及挑戰。同時揭示了市場潛在需求與潛在機會，為戰略投資者選擇恰當的投資時機和公司領導層做戰略規劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據，同時對政府部門也具有極大的參考價值。

想了解關于更多(砷化鎵)半導體激光器件行業專業分析，可點擊查看中研普華研究院撰寫的《2024-2029年(砷化鎵)半導體激光器件行業投資價值評估分析報告》。同時本報告還包含大量的數據、深入分析、專業方法和價值洞察，可以幫助您更好地了解行業的趨勢、風險和機遇。

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