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存儲芯片價格延續漲勢 儲芯片行業發展機遇分析2024

為確保存儲芯片行業數據精準性以及內容的可參考價值,我們研究團隊通過上市公司年報、廠家調研、經銷商座談、專家驗證等多渠道開展數據采集工作,并對數據進行多維度分析,以求深度剖析行業各個領域,使從業者能夠從多種維度、多個側面綜合了解存儲芯片行業的發展態勢,

芯片產業是資本和技術雙密集型產業,對于國家綜合實力的重要性不亞于能源與糧食。在全球經濟衰退風險增加環境下,半導體芯片制造商們正在為未來幾個月嚴峻的轉變而做準備。一種可能的情況是,該產業可能將從大流行期間創紀錄的銷售增長,變成10年來最嚴重頹勢。

在大流行期間,半導體市場訂單大增,推升芯片銷售額至新高,部分業內人士原先預期這樣的繁榮可再持續數年。但是,芯片商如今已開始面臨庫存增加和需求萎縮的問題。

對大型芯片制造商來說,情勢已經轉變。英偉達預估核心業務全年跌幅將超過40%,而美光也表示,許多領域的需求正在迅速降溫。

大流行期間,各國或地區啟動封鎖,因而出現一波居家辦公、學習的趨勢,刺激對個人電腦和其他設備的需求。當時芯片制造商急于滿足大量訂單,供應鏈瓶頸也造成問題,電子設備制造商幾乎愿意以任何價格購買芯片。

為確保存儲芯片行業數據精準性以及內容的可參考價值,我們研究團隊通過上市公司年報、廠家調研、經銷商座談、專家驗證等多渠道開展數據采集工作,并對數據進行多維度分析,以求深度剖析行業各個領域,使從業者能夠從多種維度、多個側面綜合了解存儲芯片行業的發展態勢,以及創新前沿熱點,進而賦能存儲芯片從業者搶跑轉型賽道。

在國家相關政策支持下,國內本土企業也開始在存儲芯片行業投入巨資,積極建設生產基地;2018年之后,隨著國內包括長江存儲、兆易創新、合肥長鑫等在內的企業奮力追趕并取得一些成績,國內部分存儲芯片開始大規模量產;2020年長江存儲成功推出128層QLC 3D NAND閃存,進一步加快我國存儲芯片行業國產化進程,現如今我國存儲芯片市場規模已經突破3000億元。

芯片產業是資本和技術雙密集型產業,對于國家綜合實力的重要性不亞于能源與糧食。在全球經濟衰退風險增加環境下,半導體芯片制造商們正在為未來幾個月嚴峻的轉變而做準備。一種可能的情況是,該產業可能將從大流行期間創紀錄的銷售增長,變成10年來最嚴重頹勢。

在大流行期間,半導體市場訂單大增,推升芯片銷售額至新高,部分業內人士原先預期這樣的繁榮可再持續數年。但是,芯片商如今已開始面臨庫存增加和需求萎縮的問題。

受下游需求疲軟的影響,存儲芯片價格已經歷了兩年的低谷。自2022年第四季度起,上游鎧俠、美光科技、SK海力士、三星等國際存儲芯片大廠就紛紛啟動削減開支減產,調整供給。

減產這一關鍵詞,幾乎貫穿上游原廠的2023年全年。在這一波調整中,三大存儲巨頭都未能幸免。

據韓國媒體報道,韓國兩大半導體巨頭三星電子和SK海力士的芯片業務虧損超過21萬億韓元(約合161億美元)。美光科技公布的截至2023年11月30日的第一財季業績顯示,季度營收為47.26億美元,上年同期為40.85億美元。季度凈虧損12.34億美元,上年同期凈虧損1.95億美元。

2023年四季度,DRAM和NAND Flash合約價均實現13%至18%的漲幅,今年一季度延續這一漲勢。

“上游存儲原廠減產后,庫存快速去化,疊加原廠端致力于提升獲利能力,導致價格有較大漲幅。”集邦咨詢分析師王豫琪向《證券日報》記者表示,不過,終端銷售情況仍有待觀察。

調研中透露,公司2023年9月單月營收已接近5億元,四季度業績進一步回升向好,毛利率迅速提升。從在手訂單情況看,預計2024年一季度將會延續這樣的態勢。2023年前三季度,公司歸屬凈利潤同比下滑736%,虧損達4.8億元。

江波龍2023年前三季度凈利潤也陷入大幅下滑和虧損,不過公司表示,從三季度后半程開始,公司營收及毛利率環比均有所回升,第三季度單季度營收創歷史新高。“從各產品線來看,公司NAND Flash業務的毛利率普遍提升,尤其是公司Lexar(雷克沙)品牌整體表現亮眼,前三季度收入逆勢同比增長47%。

好消息是,至2023年四季度,持續減產帶來了積極的效果,存儲芯片市場終于迎來了明顯的復蘇勢頭。

市調機構數據顯示,進入第四季度,多個型號的存儲芯片呈現漲價之勢。第四季Mobile DRAM(移動動態隨機存取存儲器)合約價季漲幅預估將擴大至13%至18%。NAND Flash(閃存存儲器)方面,eMMC(嵌入式多媒體存儲芯片)、UFS(通用閃存存儲芯片)第四季合約價漲幅約10%至15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM(動態隨機存取存儲器)產品低,因此成為本次的領漲項目。

對于原廠晶圓的提價,A股存儲芯片廠商江波龍回應稱:“半導體存儲市場具有特定的傳導機制,而市場價格在傳導的過程中存在時間差,因此其對公司經營方面的影響也存在一定的時間差。目前原廠嚴格控制出貨節奏,下游廠商都在積極備貨,從市場來看,當下的價格傳導機制是較為順暢的。”

從結構上講,SRAM需要更多的晶體管才能存儲一定數量的內存,由于內存模塊中的晶體管數量決定了其容量,因此DRAM模塊的容量幾乎是SRAM模塊容量的六倍。

容量的不同最終其實歸結為價格,由于較低的價格,盡管與SRAM相比速度較慢功耗更高,但DRAM已成為計算機主存儲器的主流,2020年DRAM下游需求中,智能手機、服務器、PC機占39.7%、34.9%與12.6%,三者合計90%。SRAM適用于速度比容量更重要的場景中,如處理器的告訴緩存,低功耗也意味著發熱量更小。

全球DRAM產品目前由三星、SK海力士與美光壟斷,三者市場份額占到95%,三星于2020年上半年完成10nm制程DRAM的出貨,為業內最高水平。國內DRAM領域代表企業有長鑫存儲(IDM)與兆易創新(Fabless),兆易創新2021年首款DRAM芯片實現量產,主要面向工控等利基市場,長鑫存儲的工藝制程正處于16nm-19nm階段,相比三巨頭落后約4年-5年。

目前,2024年開年,存儲芯片延續去年的反彈趨勢,迎來新一輪漲價。三星、美光等全球頭部存儲芯片企業,日前正規劃在2024年一季度將DRAM(動態隨機存取存儲器)芯片價格上漲15%至20%。

根據最新研究結果,預計2024年一季度全球市場DRAM合約價整體漲幅為13%至18%,延續2023年第四季度的上漲態勢。

存儲產品價格于2023年見底回升。國聯證券分析師熊軍在研報中表示:“典型DRAM顆粒現貨平均價于2023年9月份見底,典型DRAM內存條渠道平均價于2023年8月份見底,典型NAND Flash(閃存存儲器)合約平均價于2023年4月份見底。”

儲存芯片行業市場機遇分析

半導體產業是典型的強周期性行業,4年至5年完成一輪周期。世界半導體貿易統計協會(WSTS)數據顯示,存儲芯片將引領2024年全球半導體市場成長,銷售額同比將躍增44.8%。

北京社科院副研究員王鵬告訴《證券日報》記者:“存儲芯片在半導體產品中率先反彈,且反彈力度較大,可以視為半導體行業漸暖的一個信號。存儲芯片是半導體市場中的重要組成部分,其價格上漲有助于帶動其他品類的半導體產品進入上漲通道。”

隨著存儲芯片價格上漲,產業鏈上市公司業績改善受到市場關注。兆易創新在2023年第三季度已經實現了毛利率的環比提升。東方證券研報表示,毛利率階段性底部已過。隨著庫存去化,兆易創新產品成本結構有望得到進一步改善。

佰維存儲方面表示,公司2023年9月份單月營收已接近5億元,第四季度業績進一步回升向好,毛利率迅速提升。從在手訂單情況看,預計2024年第一季度將會延續這樣的態勢。

《2024-2029年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告》由中研普華存儲芯片行業分析專家領銜撰寫,主要分析了存儲芯片行業的市場規模、發展現狀與投資前景,同時對存儲芯片行業的未來發展做出科學的趨勢預測和專業的存儲芯片行業數據分析,幫助客戶評估存儲芯片行業投資價值。

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