一、刻蝕設(shè)備行業(yè)簡(jiǎn)介

刻蝕是半導(dǎo)體圖案化過(guò)程的核心工藝，刻蝕機(jī)被視為半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備之一。刻蝕設(shè)備主要用于去除特定區(qū)域的材料來(lái)形成微小的結(jié)構(gòu)圖案，與光刻、薄膜沉積并稱為半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備，重要性凸顯，地位舉足輕重。

刻蝕可分為濕刻和干刻，濕刻各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，干刻是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中，等離子體干刻應(yīng)用最廣。

根據(jù)等離子體產(chǎn)生方法不同，等離子體刻蝕又劃分為ICP（電感性等離子體刻蝕）和CCP（電容性等離子體刻蝕）兩大類，ICP主要用于硅、金屬以及部分介質(zhì)刻蝕，CCP主要用于介質(zhì)刻蝕。

目前應(yīng)用主要以干法刻蝕為主，市場(chǎng)占比90%以上。濕法刻蝕在小尺寸及復(fù)雜結(jié)構(gòu)應(yīng)用中具有局限性，目前主要用于干法刻蝕后殘留物的清洗。濕法刻蝕可分為化學(xué)刻蝕和電解刻蝕。根據(jù)作用原理，干法刻蝕可分為物理刻蝕(離子銑刻蝕)和化學(xué)刻蝕(等離子刻蝕)。根據(jù)被刻蝕的材料類型，干法刻蝕則可分為金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕與硅刻蝕。ICP與CCP是應(yīng)用最為廣泛的刻蝕設(shè)備。

二、刻蝕設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

刻蝕設(shè)備在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。在半導(dǎo)體制程中，刻蝕設(shè)備主要用于將光刻技術(shù)產(chǎn)生的電路圖從半導(dǎo)體材料上轉(zhuǎn)移到目標(biāo)芯片上。具體來(lái)說(shuō)，刻蝕設(shè)備通過(guò)物理或化學(xué)方法將電路圖從光刻膠上轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料上，然后去除光刻膠，最終得到所需的電路圖形。刻蝕設(shè)備上游成本包括直接材料、直接人工和制造費(fèi)用。其中直接材料成本就是機(jī)械類、電氣類、真空系統(tǒng)類、傳感器類、儀器儀表類、氣動(dòng)系統(tǒng)類等部件成本，占比最大，占整體成本的88%，中游主要是刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)和制備，下游主要是應(yīng)用半導(dǎo)體領(lǐng)域，終端應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、能源電力等。

三、中國(guó)刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

在國(guó)家政策的大力支持下，近年國(guó)內(nèi)晶圓廠持續(xù)擴(kuò)建，核心設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代成為主流，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠提供了優(yōu)異的市場(chǎng)環(huán)境，國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備深度受益并取得巨大突破，很大程度上打破了國(guó)外壟斷，屬于國(guó)產(chǎn)替代的典范。中微公司、北方華創(chuàng)是國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備領(lǐng)頭羊，部分產(chǎn)品不但批量應(yīng)用至國(guó)內(nèi)晶圓廠，且成功破入海外市場(chǎng)，具備全球競(jìng)爭(zhēng)力。截止2023年底，北方華創(chuàng)ICP刻蝕設(shè)備累計(jì)出貨超3200腔，中微公司CCP刻蝕設(shè)備已批量應(yīng)用于海外5nm及以下集成電路產(chǎn)線。

近年來(lái)，中國(guó)政府出臺(tái)了一系列政策扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，包括鼓勵(lì)國(guó)產(chǎn)替代、支持研發(fā)創(chuàng)新等。這些政策為中國(guó)刻蝕機(jī)行業(yè)的發(fā)展提供了良好的政策環(huán)境。目前中國(guó)刻蝕機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率正在逐步提高。雖然總體核心半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率不足10%，但是刻蝕機(jī)領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化率已經(jīng)達(dá)到了約20%。

圖表：2021-2023年中國(guó)刻蝕設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

刻蝕機(jī)行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局比較激烈。全球范圍內(nèi)，泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料、東京電子等企業(yè)占據(jù)了刻蝕機(jī)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。在中國(guó)，中微公司、北方華創(chuàng)等企業(yè)在刻蝕機(jī)領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，成為國(guó)內(nèi)刻蝕機(jī)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。

四、中國(guó)刻蝕設(shè)備重點(diǎn)廠商分析

1、中微公司

中微公司是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備最具代表性的公司，在CCP、ICP設(shè)備領(lǐng)域均擁有強(qiáng)大的產(chǎn)品實(shí)力，部分產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入海外產(chǎn)線，批量應(yīng)用于5nm及以下先進(jìn)制程生產(chǎn)線。中微公司刻蝕設(shè)備發(fā)展歷程總結(jié)如下：2007年，中微首臺(tái)CCP刻蝕設(shè)備研制成功；2011年，中微45nm介質(zhì)刻蝕設(shè)備研制成功；2013年，中微22nm介質(zhì)刻蝕設(shè)備研制成功；2015年，美國(guó)商務(wù)部取消了等離子體刻蝕機(jī)對(duì)中國(guó)的出口控制；2016年，中微7nm介質(zhì)刻蝕設(shè)備研制成功；2017年中微刻蝕設(shè)備進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)7nm生產(chǎn)線。

近年，在產(chǎn)品力穩(wěn)步增長(zhǎng)以及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張的雙重推動(dòng)下，中微公司業(yè)績(jī)迅猛增長(zhǎng)。2019-2023年，中微公司營(yíng)收從19.5億元增長(zhǎng)到62.6億元，期間CAGR為33.9%，歸母凈利潤(rùn)從1.9億元增長(zhǎng)到17.9億元，期間CAGR高達(dá)75.4%。中微公司年新簽訂單屢創(chuàng)新高，確保其業(yè)績(jī)長(zhǎng)期穩(wěn)定增長(zhǎng)。2020-2023年，中微公司新簽訂單分別為21.7億元、41.3億元、63.2億元、83.6億元，期間CAGR約為56.8%，新簽訂單穩(wěn)步增長(zhǎng)，反映出公司的設(shè)備產(chǎn)品在旺盛的行業(yè)需求下充分受益。

2、北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)是國(guó)內(nèi)具有代表性的半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)型公司，刻蝕設(shè)備是其重要產(chǎn)品線，以ICP為主，CCP在近年也有突破，與中微公司并列刻蝕設(shè)備雙雄。北方華創(chuàng)ICP硅/金屬刻蝕機(jī)產(chǎn)品類別豐富，實(shí)現(xiàn)了12英寸各技術(shù)節(jié)點(diǎn)的突破，產(chǎn)品型號(hào)包括NMC612C/612D硅刻蝕機(jī)、NMC612G金屬刻蝕機(jī)等，是公司刻蝕產(chǎn)品線的主力，截止2023年，公司ICP出貨量累計(jì)超3200腔；CCP設(shè)備方面，2022年，北方華創(chuàng)發(fā)布NMC508CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)，2024年發(fā)布12英寸AccuraLXCCP刻蝕機(jī)，進(jìn)展順利，截止2023年末，北方華創(chuàng)CCP設(shè)備累計(jì)出貨超100腔，發(fā)展勢(shì)頭迅猛；此外，北方華創(chuàng)在TSV刻蝕設(shè)備（PSEV300）、去膠機(jī)（ACEi300）等領(lǐng)域也有優(yōu)秀產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)主流Fab廠和先進(jìn)封裝廠，已形成批量銷售。

《2024-2029年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》由中研普華產(chǎn)業(yè)研究院撰寫(xiě)，本報(bào)告對(duì)該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對(duì)行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢(shì)預(yù)測(cè)等等。報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài)，對(duì)行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。