在半導體產業的蓬勃發展進程中，半導體封裝技術作為其中極為關鍵的一環，正經歷著日新月異的變革。半導體封裝不僅承擔著保護芯片、實現電氣連接的重任，更是隨著科技的進步，在提升芯片性能、實現更高集成度等方面發揮著越來越重要的作用。其中，鍵合技術作為半導體封裝的核心工藝之一，以其多樣化的類型和不斷創新的發展態勢，成為推動半導體封裝技術持續進步的重要力量。

鍵合，從本質上來說，是一種借助物理或者化學手段，將兩片表面極為光滑且潔凈的晶圓緊密貼合在一起的工藝過程。這一工藝在半導體制造中扮演著雙重關鍵角色，一方面輔助半導體制造工藝的順利推進，另一方面能夠構建出具備特定功能的異質復合晶圓。鍵合技術種類繁多，基于不同的分類標準，形成了多元且清晰的分類體系。

從晶圓目標種類的維度來看，鍵合技術可清晰劃分為晶圓-晶圓鍵合（Wafer-to-Wafer，W2W）和芯片-晶圓鍵合（Die-to-Wafer，D2W）。晶圓-晶圓鍵合，是將兩片完整的晶圓進行貼合，這種鍵合方式在構建大規模集成電路、實現晶圓級的集成等方面具有顯著優勢。例如，在一些高端芯片的制造中，通過晶圓-晶圓鍵合技術，可以將不同功能的晶圓層進行精準貼合，從而實現芯片功能的高度集成與優化。芯片-晶圓鍵合則是將單個芯片與晶圓進行連接，這種方式在一些特定芯片的封裝以及小批量、高定制化的半導體產品制造中應用較為廣泛。

若依據鍵合完成后是否需要進行解鍵合操作來劃分，鍵合技術又可分為臨時鍵合（TemporaryBonding）和永久鍵合（PermanantBonding）。臨時鍵合主要應用于半導體制造過程中的特定階段，例如在晶圓減薄等工藝中，為超薄晶圓提供臨時的機械支撐。當完成相關工藝后，通過解鍵合操作將臨時鍵合的材料去除。而永久鍵合則是一旦完成鍵合，兩片晶圓將永久性地連接在一起，形成穩定的電氣和物理連接，廣泛應用于各類成熟半導體產品的最終封裝環節。

在傳統的半導體封裝領域，引線鍵合技術長期占據著主導地位，其核心作用在于實現芯片與外界的電氣互聯。傳統封裝的流程較為復雜，首先需要將晶圓切割成一個個獨立的晶粒，然后將這些晶粒精準地貼合到預先設計好的基板架上。在此基礎上，利用金屬引線，將晶片上的接合焊盤與基板引腳上的對應位置進行逐一連接，從而建立起芯片與外界的電氣通路。最后，為了保護脆弱的芯片以及已完成的電氣連接，會使用外殼對整個封裝結構進行封裝保護。

以常見的電子設備芯片為例，如手機處理器芯片，在其傳統封裝過程中，大量采用引線鍵合技術。通過精細的金屬引線，將芯片內部的微小電路與手機主板上的對應接口相連，確保芯片能夠穩定地接收和發送電信號，實現手機的各種功能。2024年，我國在引線鍵合機的進口市場方面展現出了較大的規模，市場空間約達6.18億美元。在全球半導體鍵合機市場中，海外的K&S（庫力索法）和ASM憑借其先進的技術和成熟的產品體系，成為行業內的龍頭企業。它們的鍵合機產品在精度、速度以及穩定性等方面具有顯著優勢，能夠滿足高端半導體制造的嚴苛要求。與此同時，國內的企業如奧特維等也在積極投入研發力量，努力突破技術瓶頸，逐漸縮小與國際先進水平的差距，在國內市場中嶄露頭角，為我國半導體封裝產業的自主發展注入新的活力。

圖表：2024年我國進口引線鍵合機金額為6.18億美元，同比+21%

數據來源：中研普華產業研究院整理

隨著半導體行業邁入后摩爾時代，芯片制造面臨著諸多挑戰，傳統的通過不斷縮小晶體管尺寸來提升芯片性能的方式逐漸逼近物理極限。在這樣的背景下，先進封裝技術成為了提升芯片性能、實現更高集成度的重要突破口。先進封裝追求的是更高的傳輸速度以及更小的芯片尺寸，在這一目標的驅動下，鍵合技術也經歷了一系列深刻的演變。

從發展歷程來看，鍵合技術從最初依賴引線框架實現電氣連接，逐漸發展到倒裝（FC）技術。倒裝技術通過將芯片翻轉，使芯片的電極直接與基板上的焊盤進行連接，大大縮短了信號傳輸路徑，提高了信號傳輸速度。隨后，熱壓粘合（TCP）技術應運而生，該技術通過在一定溫度和壓力下，使芯片與基板之間的連接材料實現良好的電氣和機械連接，進一步提升了封裝的可靠性和性能。接著，扇出封裝（Fan-out）技術憑借其能夠將芯片的引腳擴展到芯片外部，實現更高密度的引腳布局，滿足了芯片對更多電氣連接的需求。而當前，混合鍵合（HybridBonding）技術正逐漸成為先進封裝領域的焦點與未來發展趨勢。

混合鍵合技術具有獨特的優勢，它僅需要銅觸點即可實現芯片之間的連接，相較于傳統鍵合方式，能夠實現更高密度的互聯。在實際應用中，例如在先進的HBM（高帶寬內存）和NAND閃存芯片制造中，混合鍵合技術的優勢得到了充分體現。HBM芯片對數據傳輸速度和帶寬要求極高，混合鍵合技術能夠有效減少信號傳輸延遲，提高數據傳輸效率。NAND閃存芯片在追求更高存儲密度和更快讀寫速度的過程中，混合鍵合技術也發揮著關鍵作用。然而，混合鍵合技術在實際應用中也面臨著諸多工藝難點。其中，對晶圓表面的光滑度、清潔度以及鍵合過程中的對準精度要求極高。任何微小的表面缺陷或者鍵合偏差，都可能導致電氣連接不良，影響芯片性能。盡管存在這些挑戰，但隨著技術的不斷進步，先進HBM和NAND等芯片正陸續全面導入混合鍵合技術。根據BESI的預測，到2030年，混合鍵合設備的市場需求有望達到28億歐元，折合約200億人民幣，這一龐大的市場規模充分顯示了混合鍵合技術在未來先進封裝領域的巨大發展潛力。

在先進封裝技術不斷發展的過程中，晶圓變薄成為了一項核心工藝。超薄晶圓具有諸多顯著優點，例如能夠有效降低芯片的功耗、提高信號傳輸速度，并且直接推動了3D堆疊層數的提高，從而實現更高的芯片集成度。在一些先進的封裝應用場景中，對晶圓的厚度要求極為苛刻，需要將晶圓減薄至10μm以下。然而，如此薄的晶圓在加工過程中面臨著極大的機械穩定性挑戰。

為了解決這一問題，臨時鍵合和解鍵合技術應運而生。在晶圓減薄工藝開始之前，首先需要通過臨時鍵合技術，將待減薄的晶圓與一個具有良好機械強度的載體晶圓進行臨時貼合。這個載體晶圓能夠為超薄晶圓提供必要的機械支撐，確保在后續的減薄、切割等工藝過程中，晶圓不會發生變形、破裂等問題。當完成所有需要在超薄晶圓上進行的工藝操作后，再通過解鍵合技術，將載體晶圓與超薄晶圓分離，從而得到符合要求的超薄芯片。

例如，在3D芯片堆疊技術中，臨時鍵合和解鍵合技術的應用尤為關鍵。通過多次的臨時鍵合、晶圓減薄、芯片堆疊以及解鍵合等工藝步驟，能夠將多個超薄芯片精準地堆疊在一起，實現芯片在三維空間上的高度集成，極大地提升了芯片的性能和功能密度。臨時鍵合和解鍵合技術作為先進封裝工藝中的重要組成部分，為實現晶圓的超薄化以及更高水平的芯片集成提供了不可或缺的技術支持，在推動半導體封裝技術向更高層次發展的過程中發揮著舉足輕重的作用。

半導體封裝技術中的鍵合技術正處于快速發展與變革的時期。從傳統封裝的引線鍵合到先進封裝下的熱壓鍵合、混合鍵合等新技術，以及臨時鍵合和解鍵合在先進封裝中的關鍵應用，每一次技術的創新與突破都為半導體產業的發展注入了新的活力。隨著技術的不斷進步和市場需求的持續推動，鍵合技術必將在未來半導體封裝領域中展現出更為強大的生命力，為半導體產業的持續創新與發展奠定堅實的基礎。