聯發科2021年1月營收暴增近80% 2021年半導體行業深度分析

• 2021年2月18日 HaoChenChong來源：互聯網 1187 77
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根據有關數據顯示，聯發科2021年1月營收為353.3億新臺幣元(約合12.6億美元)，比去年同期增長78.3%，比上一季度增長9%。此外，這家芯片廠商預計今年一季度營收增長可達8%，在964億至1041億新臺幣(約3.44至37.1億美元)之間。

聯發科2021年1月營收暴增近80%

根據有關數據顯示，聯發科2021年1月營收為353.3億新臺幣元(約合12.6億美元)，比去年同期增長78.3%，比上一季度增長9%。此外，這家芯片廠商預計今年一季度營收增長可達8%，在964億至1041億新臺幣(約3.44至37.1億美元)之間。

該增長主要得益于為手機市場對5G芯片需求的激增和普及，以及4G手機和Chromebook出貨量的增長。根據聯發科首席執行官蔡力行(Rick Tsai) 的說法，相比2020年第四季度，聯發科整體芯片的出貨量預計也將在本季度大幅增長。

聯發科預計2021年整體營收也將強勁增長，毛利率在43%至44%之間。值得注意的是，該公司去年創造了3221.5億新臺幣(約合115億美元)的收入，同比增長30.8%，創歷史新高。

中國半導體國產替代

根據半導體行業協會統計，目前在國內半導體制造環節國產材料的使用率不足15%，先進工藝制程和先進封裝領域，國產化率更低。在設備方面，國內自足率低、需求缺口極大，當前在中端設備實現突破，初步產業鏈成套布局，但高端產品仍是攻克難題。

中國半導體行業中有按照半導體生產工藝可分為設計、制造、封測三個細分行業。「華潤微電子」、「睿創微納」、「敏芯微電子」為MEMS(微機電系統)制造廠商。其中「華潤微電子」專用集成電路、MEMS傳感器及紅外成像產品的設計與制造，擁有1401項專利，根據HIS Markit統計，華潤微電子的銷售額在中國MOSFET市場排名第三，僅次于英飛凌和安森美;「睿創微納」主營業務為集成電路、MEMS傳感器及紅外成像產品的設計與制造，目前擁有132項專利技術，合作客戶有海康威視等;「敏芯微電子」同樣生產MEMS芯片，是我國第三大、全球第四大的MEMS麥克風供應商。

我國半導體行業的尷尬現狀是，作為全球最大的集成電路消費市場，大部分產品嚴重依賴進口：據中國電子專用設備工業協會統計2018年中國集成電路貿易逆差達到1933億美元，國產半導體設備銷售額預計為109億元，自給率僅約為12%。除去LED、面板、光伏等設備，實際上國內集成電路設備的國內自給率僅有5%左右。

中國擁有世界上最龐大的半導體消費市場，占全球半導體市場的60%左右，但高端芯片的需求自給率低僅為 10%。通過梳理科創板上市的半導體公司發現，雖然中國半導體行業產業鏈中中國在應用和系統的部分水平與全球領軍企業水平持平，在材料和制造環節距龍頭企業還有大幅的差距。 雖然在科創板中也不乏涉足AI+高端芯片，諸如為云服務器和邊緣計算設備提供AI芯片解決方案的「寒武紀」和為AI、云計算提供以芯片為主解決方案的「瀾起科技」等公司。總的來看，中國半導體行業生產技術仍然有面向中低端市場、材料配方工藝落后、實現技術突破難的特點。而決定半導體行業能力缺陷在于短板有多短，中國半導體產業鏈短板是因為制造環節關鍵材料依賴進口，產生了業內高呼“國產替代”的局面。而所謂“國產替代”：一類是替代性需求，一類是新需求。

替代性需求是半導體產業全球供應鏈風險加大，例如初全球芯片生產面臨“停擺”的危機，客觀產生的“進口替代”效應;另外中國半導體設備和材料的軟肋也存在投資研發關鍵技術的“替代”需求。面目前中國的半導體芯片設計公司大部分還是通過“模仿”來進行“替代”。目前中國對外依賴程度較高的高端芯片的提供商主要是IDM企業，在芯片制造中半導體設備及關鍵材料又是其中最“卡脖子”的環節。目前半導體材料中90%的成分為硅，半導體材料成本中60%為硅材料購買成本。但由于硅提純的技術壁壘高、所需材料純度高，僅有少數企業能夠生產高純度硅材料，導致供貨渠道被SK、SUMCO等少數國外材料生產商壟斷，而將電路蝕刻在硅晶圓裸片上又需要先進工藝，這類硅晶圓需要依賴三星、英特爾、臺積電等境外廠商進口;而在制造環節是通過中國半導體材料設備行業制造行業發展較晚，尤其是用來去除晶圓表面掩膜的光刻機的國產化程度低于10%，主要被荷蘭ASML和日本AMEC所占據。

新需求是指的新興系統、設備發展和針對下游諸如電子行業的強大需求而做的自主創新。 物聯網、人工智能等新技術興起使智能化成為社會生活各個領域的主流趨勢，傳統產業面臨轉型升級。半導體是產業智能化進程中必不可少的關鍵電子元件，是新產品智能化功能實現的基礎平臺，新技術應用的核心載體。例如，華為發展通信領域5G基站的需求讓海思應運而生。另外，在摩爾定律推動下新材料的迭代引發了半導體代次更迭。

例如前段時間，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表炙手可熱的第三代半導體概念股的異軍突起，被普遍唱興為中國半導體發展歐美日韓超車的機會。相比于第一代、二代半導體材料，第三代半導體在電子器件、射頻電子器件、功率電子器件三大領域有熱導效率高、穩定性好(耐高溫、耐高壓、耐大電流)、抗腐蝕的優勢。但第三代半導體材料更適合應用在高頻的大功率器件，例如新基建下的通信、人工智能、云端服務等領域。在電子器件領域，中國高端芯片仍面臨“自給困境”。

國務院發布的相關數據顯示，中國芯片自給率2019年僅為30%左右。眼下，正視差距才是想要實現“趕超”的第一步。在半導體行業被公開認可投資邏輯是“天時地利人和”。

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