第三季度為電子行業的傳統旺季，但今年下游市場需求疲弱的擔憂始終籠罩整個行業，盤面上半導體板塊出現階段性回調。其中，代表性的半導體存儲供需出現拐點，行業預測DRAM、NANDFlash將進入跌價周期。
第三季度為電子行業的傳統旺季，但今年下游市場需求疲弱的擔憂始終籠罩整個行業，盤面上半導體板塊出現階段性回調。其中，代表性的半導體存儲供需出現拐點，行業預測DRAM、NANDFlash將進入跌價周期。另一方面，面對芯片短缺，國際巨頭持續擴產，而國產存儲頭部梯隊企業在第三季度業績普遍向好，加快了產品迭代以及產業鏈的縱深聯合，并積極布局汽車等市場。
據中研產業研究院報告《2020-2025年中國存儲芯片產業深度調研及未來發展現狀趨勢預測報告》分析
存儲芯片行業產業鏈上游參與者為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料供應商和光刻機、PVD、CVD、刻蝕設備、清洗設備和檢測與測試設備等設備供應商;行業中游為存儲芯片制造商，主要負責存儲芯片的設計、制造和銷售，芯片具有較高技術壁壘，致使存儲芯片開發難度高;行業產業鏈下游參與者為消費電子、信息通信、高新科技技術和汽車電子等應用領域內的企業。
目前，中國是全球主要的電子信息制造業的生產基地，也是全球規模最大、增速最快的集成電路市場。2020年，我國集成電路產業規模達到8848億元，“十三五”期間年均增速近20%，為全球同期增速的4倍。
根據世界半導體貿易統計組織估算，2021年全球半導體產值將達5272億美元，較去年同期增長19.7%;存儲芯片產值增長為31.7%，增幅將高居第一。世界半導體貿易統計組織預期，2022年全球半導體產值可望進一步達5734億美元，將再增長8.8%;其中存儲芯片產值將增長17.4%，增幅仍將高居第一。
全球存儲芯片行業集中度高，呈寡頭壟斷格局，由三星、SK海力士、美光主導。在細分領域，全球DRAM市場仍由三大巨頭主導，全球NAND Flash半數市場份額由三星和鎧俠占據;在NOR Flash全球市場中，我國企業兆易創新位列前三。
從中國存儲芯片行業競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領導，細分領域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內廠商奮力追趕，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距。其中，兆易創新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術。值得注意的是，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體發展的重要角色。
從主要存儲芯片發展趨勢來看，DRAM的技術發展路徑是以微縮制程來提高存儲密度。制程工藝進入20nm之后，制造難度大幅提升，內存芯片廠商對工藝的定義從具體的線寬轉變為在具體制程范圍內提升二或三代技術來提高存儲密度。
想要了解更多存儲芯片行業的發展前景，請查閱《2020-2025年中國存儲芯片產業深度調研及未來發展現狀趨勢預測報告》。
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