DRAM行業現狀分析以及行業前景分析

• 2021年11月4日 ZhouJiaLiang來源：互聯網 240 7
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動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。

DRAM行業現狀分析

動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器(SRAM)只要存入數據后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設備。

據中研產業研究院報告《2021-2026年DRAM行業深度分析及投資戰略研究咨詢報告》分析

與所有半導體產品一樣，少數公司傾向于控制特定產品的多數市場份額，DRAM也不例外，存儲器行業科技含量高，高昂的研發成本使得資本支出大且增速高于其他行業，從而壟斷格局牢固，巨頭優勢下馬太效應愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨頭已經在DRAM領域形成了“高市占率→高營業額→研發投入大→技術領先→搶占市場”的良性循環。據統計，2020年Q3三星占據41.3%市場份額，SK海力士占據28.2%市場份額，美光占據25%市場份額，其他占比5.5%。

目前國內三大存儲器制造商分別是長江存儲，福建晉華和合肥長鑫。長江存儲主要負責NAND Flash技術研發，福建晉華和合肥長鑫則負責DRAM領域。2018年下半年福建晉華投產之后，被美國商務部以國家安全為由列入出口管制清單，美國三大半導體制造商在禁令當天撤出福建晉華12寸廠，隨后技術合作方臺灣聯電表態終止合作，福建晉華于2019年3月停產。目前國產替代DRAM最大希望就在合肥長鑫。

據公開數據統計，今年全球存儲器的市場規模將超過1500億美金，其中NAND Flash大約在650億美元左右，而DRAM大概在911億美元。未來隨著智能手機、PC、數據中心等對存儲器需求不斷增長，從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長，DRAM容量將以20%左右的增長率成長。

SK海力士等保守增加DRAM供應量

據報道，三星及SK海力士保守增加DRAM供應量。“因前期半導體短缺情況，導致客戶累積了較多的庫存，(客戶)要先消耗自己的庫存，所以購買積極性不高，看待DRAM這個市場稍微保守些。”一位行業人士表示。

想要了解更多DRAM行業的發展前景，請查閱《2021-2026年DRAM行業深度分析及投資戰略研究咨詢報告》。

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