日本擬加強新一代半導體研發 半導體行業發展分析

• 2021年8月25日 ZhouJiaLiang來源：華爾街見聞 騰訊 虎嗅 新華社 574 32
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日本文部科學省日前基本決定，為開發有望大幅節電等的新一代半導體，加強相關研究及人才培養力度。正就在下年度預算概算要求中列入9億日元(約合人民幣5310萬元)展開協調。計劃把承擔新存儲器、中央處理器(CPU)等設計到制造的一條龍研究團隊作為“據點”，重點編制預

日本文部科學省日前基本決定，為開發有望大幅節電等的新一代半導體，加強相關研究及人才培養力度。正就在下年度預算概算要求中列入9億日元(約合人民幣5310萬元)展開協調。計劃把承擔新存儲器、中央處理器(CPU)等設計到制造的一條龍研究團隊作為“據點”，重點編制預算。

日本在第三代的新半導體材料方面已經走到了世界前列，日企Novel Crystal Technology全球首次量產了100mm(4英寸)的“氧化鎵”晶圓，并且將于今年就可以提供量產出來的晶圓產品。氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體，也是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鎵功率元件的市場規模，比當前最為火爆的氮化鎵功率元件的規模其實還要大，也被認為是未來光電子時代最重要的半導體材料。

半導體行業發展分析

目前“第三代半導體”器件已經迅速進入了新能源汽車、光伏逆變、5G 基站、PD 快充等應用領域，碳化硅主要 應用在新能源汽車和工控等領域，氮化鎵器件主要應用在5G基站等領域。2020 年我國“第三代半導體”產業電力電子和射頻電子總產值超過 100 億元，同比增長 69.5%。其中，SiC、GaN 電力電子產值規模達 44.7 億元， 同比增長 54%;GaN 微波射頻產值達到 60.8億元，同比增長 80.3%。

碳化硅功率器件被廣泛應用于新能源汽車中的主驅逆變器、DC/DC轉換器、充電系統中的車載充電機和充電 樁等，光伏、風電等領域。受益新能源汽車的放量，碳化硅功率器件市場將快速增長。 根據Yole數據，2018年和2024年碳化硅功率器件市場規模分別約4億和50億美金，復合增速約51%，按照該 復合增速，2027年碳化硅功率器件市場規模約172億美金。

碳化硅襯底材料市場增速快。受益新能源汽車的放量和5G建設應用的推廣，碳化硅襯底材料市場規模有望實現快速增長。 根據Yole統計，碳化硅襯底材料市場規模將從2018年的1.21億美金增長到2024年的11億美金，復合增速達 44%。按照該復合增速，2027年碳化硅襯底材料市場規模將達到約33億美金

同時，根據Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半導體報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入預計8.54億美元。未來十年的年均兩位數增長率，到2029年將超過50億美元。

中國大力發展第三代半導體

近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺行業扶持政策，重點發展第三代半導體產業，解決半導體行業“卡脖子”問題。在火熱的市場環境下，各地政府也積極參與到三代半導體項目的投資建設當中。

因三代半導體投資規模相對較低，產業鏈上游的材料及生產環節不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。數據顯示，2018-2020年，我國僅SiC項目政府投資達到32個，計劃投資金額超過700億。

近兩年的投資熱潮，也使得該領域的企業普遍估值偏高，產生了泡沫，一些項目在未來3-5年很可能難以落地，行業將迎來一次洗牌。

在5G信息技術時代，第三代半導體迎來新發展機遇，新基建的實施助推第三代半導體產業發展進入黃金窗口期，呈現一派發展好勢頭，有望逐步實現自主可控、安全可靠的第三代半導體產業體系，與第一代、第二代半導體優勢互補、協同支撐新一代信息技術創新發展，支撐中國新時期社會經濟的高質量發展。

想要了解更多半導體行業的發展前景，請查閱《2021-2025年中國半導體行業競爭分析及發展前景預測報告》。

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