未來碳化硅市場該怎么走？2025年全球碳化硅市場規模將增長至25.62億美元

• 2022年3月2日 WuYaNan來源：互聯網 860 53
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碳化硅未來增量和存量市場上都會有爆發。碳化硅器件具備廣闊的應用領域和市場空間， 全球碳化硅功率器件市場規模為5.41億美元，預計2025年將增長至25.62億美元，年化復合增速約30%。

“碳中和碳達峰”背景下碳化硅行業發展前景如何？未來碳化硅市場該怎么走？碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優點，可有效突破傳統硅基材料的物理極限，碳化硅廣泛應用于新能源汽車及其充電樁、大數據中心、軌道牽引、高壓電網、新能源逆變等領域，成為我國重點發展的戰略性先進半導體，對實現碳達峰碳中和具有重要的戰略意義。

根據中研普華研究院《2022-2027年碳化硅纖維市場投資前景分析及供需格局研究預測報告》顯示：

我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，隨著國家“新基建”戰略的實施，碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體是面向經濟主戰場、面向國家重大需求的戰略性行業。

碳化硅在制造射頻器件、功率器件等領域具有明顯優勢。

山西省第一片碳化硅芯片成功研制

2021年9月，中國電科二所承擔山西太原某實驗室6英寸SiC芯片整線系統集成項目，該項目要求4個月內完成整線設備評估、選型、采購、安裝、調試，并研制出第一片芯片。山西省第一片碳化硅芯片，是落實山西省“十四五”規劃將半導體產業打造成新支柱產業取得的階段性成果。接下來，將進一步優化設計和工藝流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指標、提高良品率，實現規模化生產。

相較于成熟的硅片制造工藝，碳化硅襯底短期內依然較為高昂。例如，目前碳化硅功率器件的價格仍數倍于硅基器件，下游應用領域仍需平衡碳化硅器件的高價格與因碳化硅器件的優越性能帶來的綜合成本下降之間的關系，短期內一定程度上限制了碳化硅器件的滲透率，其成本高限制了其在下端市場的應用場景以及市場滲透。

碳化硅半導體，是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積，主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域，在民用、軍用領域均具有明確且可觀的市場前景。

需求端：由于碳化硅具備耐高壓、耐高溫和高頻的性能，在新能源車、新能源發電、充電樁等領域均有可觀的應用場景。碳化硅作為寬禁帶半導體，具備出色的物理特性，可提高開關頻率，近年來隨成本下降而打開應用市場。據Yole 數據，2025 年全球電力電子領域碳化硅市場有望超過30 億美金，其中新能源車將貢獻超過一半增量;據我們測算，碳化硅在新能源車/光伏/軌交/充電樁等領域均具備較大增長空間。

供給端：技術工藝壁壘較高，國產供應鏈持續擴產。襯底材料和器件為碳化硅產業鏈較關鍵環節，PVT 法為當前主流生產方法。國產廠商與歐美廠商差距普遍在5-8 年以上，國內項目陸續投產，產能有望快速釋放。我們認為需要密切跟蹤下游客戶驗證情況，判斷有效產能。

2025年全球碳化硅市場規模將增長至25.62億美元

國內外各大半導體元器件企業紛紛加大了新產品的推廣力度，第三代半導體也開始頻頻出現在各地園區招商引資名單中。

碳化硅龍頭科銳(Cree)宣布2021年財年第四季度財報時透露，公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠，使其能夠充分利用未來幾十年的增長機遇。全球碳化硅市場只有4億美元，到2024年碳化硅市場規模有望達到50億美元。

碳化硅未來增量和存量市場上都會有爆發。碳化硅器件具備廣闊的應用領域和市場空間， 全球碳化硅功率器件市場規模為5.41億美元，預計2025年將增長至25.62億美元，年化復合增速約30%。

據最新消息稱：三星電子正在研發取代碳化硅(SiC)聚焦環(Focus Ring)的新材料。業界消息指出，硬度表現優秀的碳化硼(B4C)成為三星有力備選方案。三星為將B4C打造成新一代聚焦環材料，正在進行相關研發。聚焦環在半導體產業中，主要用于硅片蝕刻工藝，除了能固定硅片之外，也有維持電漿體密度、防止硅片遭污染等功用。

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