2022年碳化硅行業發展前景及市場規模分析

• 2022年1月23日 ZouJunRong來源：互聯網 252 8
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國內碳化硅廠商具有自身優勢。在全球半導體材料供應不足的背景下，國際龍頭企業紛紛提出碳化硅產能擴張計劃并保持高研發投入。

碳化硅行業發展前景、碳化硅市場狀況如何?《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。

2022年碳化硅行業發展前景及市場規模分析

碳化硅屬于第三代半導體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應用場景有極大優勢。第三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵為代表，與前兩代半導體材料相比最大的優勢是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場強度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件。

碳化硅產業鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法(CVD法)等生成外延片，最后制成相關器件。在SiC器件的產業鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產業鏈價值量主要集中于上游襯底環節。

為了提升半導體的性能，半導體上游材料經歷了幾輪的演變。第一代半導體材料高純硅是目前最為廣泛使用的，超過90%的半導體是用硅材料制作的。90年代開始，隨著半導體產業的發展，第二代化合物半導體材料的代表砷化鎵和磷化銦開始走上舞臺，其器件相對硅器件具有高頻、高速的光電性能，因此被廣泛應用于光電子和微電子領域。

據中研產業研究院公布《2021-2025年中國碳化硅行業競爭分析及發展前景預測報告》顯示

如今以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代化合物半導體材料，在禁帶寬度、擊穿電場強度、 飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢，進一步滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求。隨著眾多公司在碳化硅領域的布局以及電動汽車廠商對SiC接受度的增加，二級市場對碳化硅的關注越來越高。

當前整個碳化硅功率器件的市場規模在10億美元左右，還沒有迎來滲透率的拐點。根據數據預測，到2026年整個碳化硅功率器件的市場規模有望達到50億美元，市場空間巨大，其中60%以上用于新能源汽車領域。根據調研機構預測2025年碳化硅在電動車應用的市場規模可至6.5億美元，未來5年年增率將介于25%至30%。

2018到2019年，全球電力電子碳化硅(SiC)市場規模由4.3億美元增至5.64億美元，2020年其市場規模估計在6億美元左右。國內供需仍存缺口，有效產能不足。我國2020年碳化硅導電型襯底產能約40萬片/年(約當4英寸)、外延片折合6英寸22萬片/年、器件26萬片/年;半絕緣型襯底折算4英寸產能近18萬片/年。

限于良率及技術影響，目前國內實際項目投產較為有限，實際產能開出率較低。隨著新能源汽車、5G等下游應用市場的快速起量，國內現有產品供給無法滿足需求，目前第三代半導體主要環節國產化率仍然較低，超過80%的產品要靠進口。

碳化硅是技術密集型行業，對研發人員操作經驗、資金投入有較高要求。國際巨頭半導體公司研發早于國內公司數十年，提前完成了技術積累工作。因此，國內企業存在人才匱乏、技術水平較低的困難，制約了半導體行業的產業化進程發展。

受益于中國5G通訊、新能源等新興產業的技術水平、產業化規模的世界領先地位，國內碳化硅器件巨大的應用市場空間驅動上游半導體行業快速發展，國內碳化硅廠商具有自身優勢。在全球半導體材料供應不足的背景下，國際龍頭企業紛紛提出碳化硅產能擴張計劃并保持高研發投入。

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