SiC功率器行業細分市場分析 SiC功率器行業市場發展環境及投資

• 吳亞楠 2023年2月13日 來源：互聯網 548 30
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預計27年市場空間將超過60億美元。根據Yole測算，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，復合年增長率約34%。

《中國制造2025》將集成電路的發展上升為國家戰略，2014年6月公布了《國家集成電路產業發展推進綱要》，半導體產業及相關材料將在我國將受到充分的政策優惠。中國未來的半導體行業將有著良好的政策支持。

相比硅基，SiC材料在熱導率、開關頻率、電子遷移率和擊穿場強均具備優勢，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產業鏈來看，襯底是價值鏈核心，在成本SICSBD器件中，襯底價值量占比達到47%。從SiC材料適用范圍來看，碳化硅器件可廣泛應用于高壓、高頻和大電流場景，因此十分適合光伏、新能源車和5G通信領域。

根據中研普華研究院撰寫的《2022-2027年中國SiC和GaN功率器件行業市場環境與投資分析報告》顯示：

SiC功率器行業市場發展環境及投資

第三代半導體行業加速發展，新能源產業鏈為增長驅動核心競爭力。盡管第三代半導體發現時間很早，但受制于成本和產業鏈不成熟等因素并未實現大規模商業化落地，2019年，以GaN-on-SiC等射頻器件的推廣，對設備開發，襯底和外延技術的推動形成了正向反饋。同時Wolfspeed已完成8英寸SiC襯底片的流片，6英寸產業鏈大規模商業化落地已逐步成型。

SiC的發現始于1824年的瑞典科學家J.J.Berzelius，但是鑒于當時硅(Si)技術的卓越發展，SiC的研究工作沒有再進一步。直到20實際90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發了相關機構對SiC材料的研究興趣。

同時SiC功率器件廣泛用于新能源汽車、光伏、軌道交通等領域，未來市場增速能夠得到保證。同時國內市場也有多家企業布局SiC產業，未來市場競爭格局將持續深化。

預計27年市場空間將超過60億美元。根據Yole測算，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，復合年增長率約34%。

從細分行業來看，新能源產業鏈和充電基礎設施將為增長最快領域。

SiC功率器行業細分市場分析

SiC器件主要應用在車載充電器、DC/DC轉換器和主驅逆變器上。在2017年之前車載充電器主要以SiCSBD為主，而在2017年后SiCSBD和SiCMOSFET的方案已經成熟。在2018年，DC/DC轉換器也由SiMOSFET逐漸變成以SiCMOSFET為主。

SiC功率器件主要應用于主驅逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉換器和大功率DC/DC充電器領域。隨著未來800V電壓平臺推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機控制器的主驅逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場空間巨大。特斯拉(Tesla)在2018年，將Model3車型的主驅動逆變器中已經使用了SiCMOSFET，將SiIGBT替換為。

SiC器件后，新能源汽車逆變器效率可以大幅提升，相同續航下對電池容量需求降低，以及實現系統冷卻體積和重量的優化，有效降低SiC器件本身帶來的成本增加。

SiC功率器件主要應用于主驅逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉換器和大功率DC/DC充電器領域。隨著未來800V電壓平臺推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機控制器的主驅逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場空間巨大。

科技將繼續滲透到消費者、企業和工業設備，從電池到汽車的方方面面，相關企業負責人指出，有幾類芯片具有增長潛力，以支持需求。他們特別強調了傳感器/微電子機械系統(MEMS)、模擬/射頻(RF)/混合信號以及微處理器(包括圖形處理單元(GPU)、微控制器(MCU)和內存保護單元(MPU))最有潛力。

目前，碳化硅襯底主流尺寸為4-6 英寸，8 英寸襯底僅有Wolfspeed、II-VI 公司和意法半導體ST等少數幾家研制 成功，其中，Wolfspeed 是首家掌握8 英寸量產技術并建設對應晶圓廠的公司。

SiC功率器市場需求空間

sic器件行業市場需求前景廣闊。預計到2025年新能源汽車市場對6英寸碳化硅晶圓需求將達到169萬片。目前，電動車已成為碳化硅的核心應用場景，其中OBC(車載充電器)和DC-DC轉換器組件對于SiC器件的應用已相對成熟，而基于SiC的主驅逆變器仍未進入大規模量產階段。

SiC產業鏈已經相對完善，從襯底到外延，國內和國際都有生產的企業，并且主要以IDM企業為主，純Fabless和Foundry企業的數量較少。SiC器件的漂移區電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的 SiC場效應管的導通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器件的開關時間可達10nS量級，并具有十分優越的 FBSOA。

SiC和GaN功率器件行業報告對中國SiC功率器行業的發展現狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析，并從行業的政策環境、經濟環境、社會環境及技術環境等方面分析行業面臨的機遇及挑戰。還重點分析了重點企業的經營現狀及發展格局，并對未來幾年行業的發展趨向進行了專業的預判。

本報告同時揭示了SiC功率器市場潛在需求與潛在機會，為戰略投資者選擇恰當的投資時機和公司領導層做戰略規劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據，同時對政府部門也具有極大的參考價值。

未來，SiC功率器行業發展前景如何?想了解關于更多行業專業分析，請點擊《2022-2027年中國SiC和GaN功率器件行業市場環境與投資分析報告》。

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