受益于國家紅利政策的扶持,中國本土光刻膠制造商積極提升光刻膠產品技術水平和研發能力,推進光刻膠國產化的進程。未來,中國有望突破高端光刻膠產品的技術壁壘,帶動中國光刻膠產量進一步提升。在國家一系列紅利政策帶動下,國內半導體、平板顯示及PCB行業發展勢頭良
光刻膠是國際上技術門檻最高的微電子化學品之一,在大規模集成電路的制造過程中,光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝,占芯片制造時間的40%~50%,光刻膠是光刻工藝得以實現選擇性刻蝕的關鍵材料。
光刻膠的應用范圍主要有PCB板,LCD,LED和半導體,前面三種技術要求相對較低,但我國企業仍然沒有實現完全自給。而半導體光刻膠技術壁壘較高、市場高度集中,幾乎被日美企業壟斷,生產商主要有日本JSR、信越化學工業、日本TOK、陶氏化學等。
我國在2000年左右才開始著手光刻膠的研發,目前整體還處于起步階段,工藝技術水平與國外企業有很大的差距,尖端材料及設備仍依賴進口。
目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家,包括陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化學、LG化學等等,中國公司在光刻膠領域也缺少核心技術。
我國光刻膠市場主要由日系的JSR、信越化學、東京應化等少數公司所壟斷,國內光刻膠大規模產業化生產企業相對較少且企業所占市場份額較低,如2021年,晶瑞電材光刻膠業務收入為2.74億元,所占行業市場份額僅2.94%;國內大部分企業目前仍處于光刻膠產品技術研發階段或光刻膠生產線加緊建設階段。
光刻膠又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕涂層材料。
半導體材料在表面加工時,若采用適當的有選擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。
在光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來,而未曝光被溶解,該涂層材料為負性光刻膠。
按曝光光源和輻射源的不同,又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。
光刻膠主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業。光刻膠生產技術較為復雜,品種規格較多,在電子工業集成電路的制造中,對所使用光刻膠有嚴格的要求。
光刻膠是PCB、LCD和半導體等各應用行業的上游材料,一般相同用途的光刻膠,由于投資大、市場比下游應用行業小,行業集中度非常高,只能有幾家企業生存。光刻膠專用化學品具有相似特征,即品種多、用量小、品質要求高,投資相對普通化學品大,行業集中度高。
據中研產業研究院《2023-2028年中國光刻膠行業深度分析與發展前景預測報告》分析:
光刻膠為集成電路中極為重要的材料,作為圖形媒介物質,用于芯片制造的光刻環節,是必不可缺的關鍵材料。制造8寸、12寸晶圓需使用KrF、ArF光刻膠,全球8寸/12寸晶圓廠擴產將帶動KrF、ArF光刻膠需求。預計全球光刻膠市場將在2024年實現反彈,增長7%,總額達到25.7億美元。
根據SEMI數據,2026年全球300mm(12寸)晶圓廠產能有望提高至960萬片/月;全球半導體制造商預計將從2021年到2025年將200mm晶圓廠產能提高20%,新增13條200mm生產線,產能有望超700萬片/月,故未來KrF、ArF光刻膠將成為國內外廠商主要競爭市場。
受益于國家紅利政策的扶持,中國本土光刻膠制造商積極提升光刻膠產品技術水平和研發能力,推進光刻膠國產化的進程。未來,中國有望突破高端光刻膠產品的技術壁壘,帶動中國光刻膠產量進一步提升。在國家一系列紅利政策帶動下,國內半導體、平板顯示及PCB行業發展勢頭良好,我國光刻膠產量呈現穩中有升態勢。
與此同時,全球半導體產業、平板顯示器、PCB行業逐漸向中國轉移,帶動中國光刻膠的需求激增,中國光刻膠行業擁有較大發展空間。除此之外,在中國“工業4.0”、“互聯網+”、“中國制造2020”和“國產替代”持續深化發展的背景下,行業下游應用終端領域對光刻膠的需求有望持續增長,從而推動中國光刻膠產量提升,市場發展空間廣闊。
在未來的幾年中,這個行業將會面臨哪些新的挑戰和機遇?報告對我國光刻膠行業的發展狀況、上下游行業發展狀況、市場供需形勢、新產品與技術等進行了分析,并重點分析了我國光刻膠行業發展狀況和特點,以及中國光刻膠行業將面臨的挑戰、企業的發展策略等。報告還對光刻膠行業發展態勢作了詳細分析,并對光刻膠行業進行了趨向研判。
想要了解更多光刻膠行業詳情分析,可以點擊查看中研普華研究報告《2023-2028年中國光刻膠行業深度分析與發展前景預測報告》。
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2023-2028年中國光刻膠行業深度分析與發展前景預測報告
光刻膠是國際上技術門檻最高的微電子化學品之一,在大規模集成電路的制造過程中,光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝,占芯片制造時間的40%~50%,光刻膠是光刻工藝得以實現選擇...
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