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IGBT行業市場如何?IGBT行業市場發展現狀調查分析

IGBT核心技術掌握在發達國家企業手中,跟國內廠商相比,英飛凌、三菱電機等國際龍頭具有強勢的品牌效應。不過隨著國內IGBT技術的發展,也涌現了比亞迪半導體、斯達半導等頭部企業,具有較強的品牌效應。由于IGBT行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,集合了MOSFET開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小和BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點,能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等,以實現精準調控的目的。

根據封裝形式的不同,可以分為IGBT單管和IGBT模塊,由一個IGBT芯片和一個FRD續流二極管芯片封裝組成的是IGBT單管,由多個IGBT芯片和多個FRD續流二極管芯片封裝組成的是IGBT模塊。

IGBT模塊產業鏈主要包括IGBT芯片設計、制造、模塊封測叁大部分,而根據產業鏈覆蓋程度,可以行業分為IDM、Fabless和Foundry叁種運作模式。其中IDM模式覆蓋了芯片設計、制造、封測叁個部分;Fabless模式僅覆蓋了芯片的設計部分;Foundry模式則只覆蓋了制造、封測部分,不參與芯片設計環節。

IGBT行業市場發展現狀

近年來,中國IGBT行業受到各級政府的高度重視和國家產業政策的重點支持。國家陸續出臺了多項政策,鼓勵IGBT行業發展與創新,《關于鞏固回升向好趨勢加力振作工業經濟的通知》《關于加快培育發展制造業優質企業的指導意見》《基礎電子元器件產業發展行動計劃(2021-2023年)》等產業政策為IGBT行業的發展提供了明確、廣闊的市場前景,為企業提供了良好的生產經營環境。

IGBT作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。由于經濟的飛速發展,我國能源需求量大幅上升,在節能減排政策的背景下,新能源發電、新能源汽車等節能效果明顯的產品近年來市場規模不斷擴大。

各電壓等級IGBT應用領域各不相同:在低壓領域:IGBT主要應用于變頻白色家電、新能源汽車、新能源充電樁等領域,隨著變頻家電和新能源汽車滲透率的逐步提升,帶動相關IGBT需求持續上升。在中壓領域:隨著信息產業與高端制造業的快速發展,新能源并網和電網工程建設工程逐步加強,我國工業逆變焊機、逆變頻器市場持續升溫,USB電源與新能源發電市場穩步增長。在高壓領域:主要應用于軌道交通和電網傳輸領域,二者發展規模與投資規模持續增長。

IGBT核心技術掌握在發達國家企業手中,跟國內廠商相比,英飛凌、三菱電機等國際龍頭具有強勢的品牌效應。不過隨著國內IGBT技術的發展,也涌現了比亞迪半導體、斯達半導等頭部企業,具有較強的品牌效應。由于IGBT行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難,國內企業在產業化進程中一直進展緩慢。

近年來我國IGBT市場規模不斷增長,據統計,截至2022年我國IGBT市場規模約為220.23億元,其中汽車IGBT領域市場規模約為77.24億元,工控及其他領域IGBT市場規模約為142.99億元。IGBT屬于高端的功率半導體器件領域,行業準入門檻高,我國IGBT產業起步較晚,但在政策的鼓勵下,我國IGBT產業發展迅速,技術水平屢屢有新的突破,已有產品可以大批量滿足下游應用客戶的需求,提高IGBT器件國產替代率指日可待。

我國IGBT目前主要有封裝、IDM、Fabless叁種發展模式,核心芯片仍主要從國外進口,因而“中國芯”問題是IGBT量產的核心問題,據統計,截至2022年我國IGBT產量約為19198萬只,需求量約為74709萬只。

國產廠商目前鉚足了勁擴產,憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。

據中研產業研究院《2024-2029年IGBT產業現狀及未來發展趨勢分析報告》分析:

IGBT的發展,自1988年至今,已歷經7次技術迭代。迭代方向主要集中在芯片面積和厚度逐年減小,功率損耗逐年降低,阻斷電壓等級逐年提升,向高穩定性、高可靠性發展。

我國本土廠商進場較晚,缺乏豐富經驗的技術人才,疊加貿易摩擦,導致中國IGBT產品在技術端嚴重滯后于國際巨頭的產品,目前國內大部分供應商僅能實現在第四代、第五代進行量產。直到2021年,國內功率半導體龍頭企業斯達半導,基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術的新一代車規級 650V/750V IGBT芯片研發成功,并通過客戶驗證,我國企業車規級IGBT才首次出現第七代產品。

從我國IGBT應用結構情況來看,工業控制、新能源汽車、新能源發電已然是IGBT主要的應用領域。

受益于新能源汽車、新能源、工業控制等領域的需求大幅增加,IGBT成為目前發展最快的功率半導體器件之一。IGBT屬于高端的功率半導體器件領域,行業準入門檻高,我國IGBT產業起步較晚,但在政策的鼓勵下,我國IGBT產業發展迅速,技術水平屢屢有新的突破,已有產品可以大批量滿足下游應用客戶的需求,提高IGBT器件國產替代率指日可待。

報告對中國IGBT行業的內外部環境、行業發展現狀、產業鏈發展狀況、市場供需、競爭格局、標桿企業、發展趨勢、機會風險、發展策略與投資建議等進行了分析,并重點分析了我國IGBT行業將面臨的機遇與挑戰。

想要了解更多IGBT行業詳情分析,可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年IGBT產業現狀及未來發展趨勢分析報告》。

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