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射頻芯片行業市場深度調研與發展趨勢預測

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射頻芯片行業市場深度調研與發展趨勢預測

射頻芯片指的就是將無線電信號通信轉換成一定的無線電信號波形,并通過天線諧振發送出去的一個電子元器件,它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開關。射頻芯片架構包括接收通道和發射通道兩大部分。

在射頻芯片領域,市場主要被海外巨頭所壟斷,海外的主要公司有Qorvo,skyworks和Broadcom;國內射頻芯片方面,沒有公司能夠獨立支撐IDM的運營模式,主要為Fabless設計類公司;國內企業通過設計、代工、封裝環節的協同,形成了“軟IDM”的運營模式。射頻芯片設計方面,國內公司在5G芯片已經有所成績,具有一定的出貨能力。射頻芯片設計具有較高的門檻,具備射頻開發經驗后,可以加速后續高級品類射頻芯片的開發。目前,具備射頻芯片設計的公司有紫光展銳、唯捷創芯、中普微、中興通訊、雷柏科技、華虹設計、江蘇鉅芯、愛斯泰克等。

射頻芯片代工方面,臺灣已經成為全球最大的化合物半導體芯片代工廠,臺灣主要的代工廠有穩懋、宏捷科和寰宇,國內僅有三安光電和海威華芯開始涉足化合物半導體代工。三安光電是國內目前國內布局最為完善,具有GaAs HBT/pHEMT和GaNSBD/FET工藝布局,目前在于國內200多家企事業單位進行合作,有10多種芯片通過性能驗證,即將量產。海威華芯為海特高新控股的子公司,與中國電科29所合資,目前具有GaAs0.25umPHEMT工藝制程能力。射頻芯片封裝方面,5G射頻芯片一方面頻率升高導致電路中連接線的對電路性能影響更大,封裝時需要減小信號連接線的長度;另一方面需要把功率放大器、低噪聲放大器、開關和濾波器封裝成為一個模塊,一方面減小體積另一方面方便下游終端廠商使用。為了減小射頻參數的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封裝技術。

隨著AI等技術的發展,“萬物互聯”的趨勢愈發明顯,芯片作為“萬物互聯”的核心,不僅關系著未來技術發展水平,也決定了各國后續經濟發展潛能以及國際地位。尤其在全球政治經濟不確定性增強、疫情沖擊尚未消退、中美芯片競爭白熱化的背景下,如何擺脫海外進口管制等限制措施對我國半導體產業“卡脖子”的影響成為重要議題。

目前芯片主要用于消費電子、汽車、航天等領域,其中消費電子憑借高迭代頻率、大基數成為芯片應用的重要領域之一。射頻芯片控制手機等設備信號接發,生產實現技術難度較大,具有高門檻特征,是消費電子芯片重要細分賽道之一。

總的來說,隨著無線通信技術的不斷發展和應用領域的不斷拓展,射頻芯片的市場前景非常廣闊。未來,射頻芯片將會成為無線通信設備中不可或缺的關鍵組件,也將成為各行業數字化轉型的重要支撐。

中研普華產業院研究報告《2023-2028年中國射頻芯片行業市場深度調研與競爭預測報告分析

第三章 全球及中國射頻芯片行業發展現狀分析

第一節 全球及中國射頻芯片行業發展特點分析

一、行業市場集中度高

在整個射頻前端芯片/模組的產業鏈中,中國在其中的參與程度目前仍然很低。目前全球前五大射頻廠商分別是:Murata(IDM),Skyworks(IDM),Qorvo(IDM),Broadcom/Avago(Fabless,除濾波器外),Qualcomm/TDK Epcos(Fabless);主流的射頻芯片代工廠包括穩懋(中國臺灣),global foundry,towerjazz等。與此同時,隨著射頻前端器件的數量和復雜度大幅增加,射頻前端模組化已經成為產業趨勢。

二、射頻器件模組化趨勢明顯

4G到5G,射頻也向模組化、高集成化發展。4G向5G切換,智能手機支持的頻段數跨越式增長,從而帶來對射頻器件更多的需求。同時支持4G/5G的模組技術難度和價值量都最高。無論是發射端還是接收端,同時支持4G/5G的模組技術難度和復雜度高于單純5G射頻前端模組,因此價值量也更高。

從發射端來看,覆蓋1.5GHz~3.0GHz頻段范圍的射頻前端模組價值量最高且綜合難度最大。主要是因為這一頻段融合了有源器件與無源器件性能對于頻率的要求,最早的4個FDDLTE頻段、4個TDDLTE頻段、TDS-CDMA的全部商用頻段、最早商用的載波聚合方案,以及GPS、Wi-Fi2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窩網通信全都在這一頻段范圍工作。由于這一頻段范圍商用時間長,且工作在這一頻段的通信多,其特點是擁擠且干擾多,因此需要高性能的BAW濾波器,這也是M/H(L)PAMiD產品的核心技術難點。博通、Qorvo、RF360等外資廠商占據高端產品市場,從Qorvo的芯片分析圖可以看出,其產品復雜度非常高。

從接收端來看,高復雜度高級程度的接收模組,產品尺寸可以做到非常小,能夠在5G應用上極大壓縮Rx部分占用的PCB面積,進而提升5G產品的整體性能。高集成度的產品通常需要用到WLP形式的先進封裝。

三、國內企業多聚焦分立器件市場

相較于國外,我國半導體分立器件行業起步較晚,主要通過國外引進及國內企業的自主創新逐步發展。我國半導體產業與國際發達國家或地區相比存在一定的差距,尤其體現在高端產品領域,由于國外企業控制著核心技術、關鍵元器件、關鍵設備等資源,高端產品仍舊主要依賴海外進口。中國作為全球最大的半導體行業新興市場,國際廠商十分重視中國市場帶來的發展機遇,不斷增加研發、技術、資本和人員投入,進行營銷網絡和市場布局,目前國際領先企業仍占據中國分立器件市場的優勢地位。

憑借多年的市場發展經驗,我國半導體分立器件產業已形成了一定規模,國內領先企業通過持續加強自主創新和技術升級,在銷售規模、技術水平、生產工藝以及產品品質等方面均有了較大程度的提升,并且在不同細分應用領域逐步取得了一定的市場競爭優勢。同時,由于中國是全球功率半導體最大的銷售市場,國內廠商與下游客戶的距離更近、與本土客戶的溝通交流更為順暢,相比國外廠商在服務響應客戶需求、降低產品成本等方面具有明顯的競爭優勢,功率半導體器件國產品牌替代率逐步提升是未來大勢所趨。

面對廣闊的市場前景,疊加國家產業政策的鼓勵以及行業技術水平的不斷提升,國內企業在技術工藝和市場份額的提升上仍有較大的開拓空間。在國際貿易爭端不確定條件下,包括分立器件在內的半導體產業進口替代需求愈發明顯,對于揚杰科技等國內領先的分立器件企業而言,將形成顯著的競爭優勢和市場份額提升空間。

四、部分產品國產替代進行時

全球射頻前端芯片市場主要被歐美廠商占據,中國生產廠商目前主要在射頻開關和低噪聲放大器等產品上實現技術突破,并逐步實現進口替代。射頻前端芯片行業因產品廣泛應用于移動智能終端,行業戰略地位逐步提升,中國射頻前端芯片行業迎來巨大發展機會,在全球市場的占有率有望大幅提升。

第二節 全球及中國射頻芯片行業市場規模分析

一、全球射頻芯片行業市場規模現狀

上一輪射頻前端市場始于4G時代,全網通的需求大大增加了覆蓋的頻段數量,常用頻段數量從3G時代的10個左右增加到4G時代的40個左右,極大地推動了射頻前端的發展。受益于5G網絡的商業化建設,自2020年起全球射頻前端芯片市場將迎來快速增長,2021年進一步增長至235.6億美元。

圖表:2019-2021年全球射頻前端行業市場規模(單位:億美元)

數據來源:QYR Electronics Research Center

二、中國射頻芯片行業市場規模現狀

2020年,中國正式進入5G商用時代,在相關新興領域蓬勃發展以及國家政策大力扶持的雙重驅動下,2021年中國射頻前端芯片市場規模達到807.8億元。

圖表:2019-2021年中國射頻前端芯片行業市場規模(單位:億元)

數據來源:中研普華產業研究院

第三節 全球及中國射頻芯片行業競爭格局分析

一、全球總體企業格局

圖表:全球射頻前端市場競爭格局(單位:%)

數據來源:中研普華產業研究院

目前全球射頻前端市場集中度較高,前四企業占整體市場的85%,且四家企業直接市場份額相差較小,整體市場競爭激烈。其中占比最多的是Skyworks,市場份額達24%;其次為Qorvo,占比21%;Broadcom及Murata占比均為20%。

射頻芯片行業研究報告旨在從國家經濟和產業發展的戰略入手,分析射頻芯片未來的政策走向和監管體制的發展趨勢,挖掘射頻芯片行業的市場潛力,基于重點細分市場領域的深度研究,提供對產業規模、產業結構、區域結構、市場競爭、產業盈利水平等多個角度市場變化的生動描繪,清晰發展方向。

欲了解更多關于射頻芯片行業的市場數據及未來行業投資前景,可以點擊查看中研普華產業院研究報告《2023-2028年中國射頻芯片行業市場深度調研與競爭預測報告》。


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