存儲芯片行業發展前景與趨勢：全球市場基本被韓日美等國壟斷

• 李芬珍子 2023年11月7日 來源：中研網 627 36
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存儲芯片行業發展前景預測

一、行業發展驅動因素分析

近年來，消費類芯片供過于求的市況愈加凸顯，而作為半導體業“大宗商品”的存儲芯片，價格也出現了下滑，且波動明顯。然而，在各種應用設備和系統中幾乎無所不在的存儲芯片(以DRAM和NAND Flash為主)，不會像多數純消費類芯片那樣，對單一或少數類別應用有特別高的依賴性，在消費類、高性能計算、汽車、工業等領域，存儲芯片都是不可或缺的，因此其發展前景依然樂觀，這也是近些年存儲芯片三巨頭始終穩居全球半導體廠商營收榜單前五的原因。

二、行業發展前景預測

存儲芯片，是最能考驗一個國家半導體產業基本功的品類，半個世紀前的英特爾，就是以存儲器起家的，在奠定相應的設計和制造基礎后，才有條件向CPU轉型。日本也是如此，上世紀80年代的鼎盛時期，全球半導體廠商營收排名前10當中，有6家日本企業，其中多數都擅長存儲芯片的研發和生產。韓國更是如此，作為后起之秀，三星憑借在存儲芯片領域的投資和策略，一舉超過了日本廠商，再加上SK海力士，使韓國占據了當今全球存儲芯片市場的半壁江山。

而且，無論是從歷史，還是現實角度看，有行業影響力的存儲芯片廠商大都是IDM模式，晶圓代工廠的存儲芯片業務市占率很小。這一特點似乎更加符合中國擅長集中力量辦大事的國情，使得我們發展存儲芯片具備先天優勢。相信在本土三大存儲芯片IDM的引領下，中國的DRAM和NAND Flash產業能夠穩扎穩打，不斷總結經驗、吸取教訓，把工藝技術、產能和良率推向新高。

存儲芯片行業發展趨勢分析

一、行業市場發展趨勢分析

1、存儲芯片迎來黃金發展期

全球內存及閃存產品在國際競爭市場上，基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。在DRAM領域，三星、海力士及美光為行業龍頭，在NAND領域，三星、東芝、新帝，海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話語權。

當前，中國已初步完成在存儲芯片領域的戰略布局，但由于中國起步晚，且受到技術封鎖，市場份額較少，距離全面國產替代還有較大的發展空間。存儲芯片良好的發展態勢將為中國在這一領域的發展提供源源不斷的需求保障。

2、IP創新與自主制造

對于存儲器芯片，由于存儲器芯片制程的難點在于IP和制造，頭部廠商的主流經營模式為IDM模式，受制于歐美日韓對中國半導體行業的限制，中方獲得IP的主要方式為合作授權與自主研發相結合的方式。

由于在DRAM領域中國廠商總體起步較晚，專利積累相對薄弱。但由于DRAM總體來說技術發展相對成熟，國際領先企業在研發領域資本投入已有所減少，這為中國廠商繼續提高資本投入已實現國產替代提供了良好的機會。在此基礎上中國廠商加快IP自主研發，降低成本的同時提高產品性能，從而在議價能力及定價彈性達到國際領先水平。

NAND Flash的IP方面，3DNANDFlash堆疊技術自2D平面技術升級而來，由于3D堆疊技術為近年來出現的新技術，中國頭部企業長江存儲與國際大廠的技術差距相對較小。但在IP儲備領域，中國廠商仍處于弱勢地位，三星、東芝、閃迪、海力士等存儲器芯片巨頭廠商仍具有壓倒性優勢。

在半導體產業向中國轉移的大趨勢下，國際大廠紛紛在大陸地區設廠或增大中國大陸建廠規模。據SEMI數據顯示，近四年來全球投產晶圓廠超60座，其中26座位于中國大陸，占全球晶圓廠比例超40%。

制造業是集成電路的核心環節，制造環節向大陸的遷移直接促進中國存儲器芯片產業的發展。隨著大量晶圓廠在中國的建成，中國存儲器芯片將迎來先進制程技術的突破與成熟。

二、行業技術發展趨勢分析

3D化是當前NAND閃存推動發展的主要趨勢，DRAM制造商展開納米競爭。從主要存儲芯片發展趨勢來看，DRAM的技術發展路徑是以微縮制程來提高存儲密度。制程工藝進入20nm之后，制造難度大幅提升，內存芯片廠商對工藝的定義從具體的線寬轉變為在具體制程范圍內提升二或三代技術來提高存儲密度。譬如，1X/1Y/1Z是指10nm級別第一代、第二代、第三代技術。目前市場上DRAM的應用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨頭廠商均已開發出1Znm制程的DRAM。

NAND Flash制程已經達到極限，目前，廠商們另辟蹊徑從2D轉向3D發展，目的是通過增加芯片的堆疊層數來獲得更大的存儲容量，而堆疊層數增加意味著光刻次數也隨之增加。隨著新科技如人工智能、AR/VR、物聯網崛起以及下游消費電子、汽車電子的強勁需求，全球半導體需求有望得到復蘇，推動存儲芯片需求上升。

從中國市場來看，以智能手機、計算機等消費電子領域和云計算、大數據等高新科技技術領域為代表的存儲芯片應用推動了存儲芯片市場需求增長。此外，在中美貿易戰中，美國通過多種方式限制對華出口高科技產品。受此影響，中國加大力度發展半導體行業，國產存儲芯片的發展勢頭更加迅猛，一些企業對國產存儲芯片的替代也更加迫切。

中國政府通過政策引導和產業資金扶持，鼓勵本土存儲芯片企業加強技術研發，以減少與國外企業的差距，實現中國存儲芯片自主研發，加快國產替代進口。隨著本土存儲芯片企業研發動力不斷增強，中國有望在5年內提高存儲芯片技術水平，提升產品本土自給率。

三、行業企業競爭趨勢分析

目前，DRAM芯片的市場格局是由三星、SK海力士和美光統治，三大巨頭市場占有率合計已超過95%，而三星一家公司市占率就已經逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國企業對DRAM芯片議價能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴重的基礎產品之一。NAND Flash經過幾十年的發展，已經形成了由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩定市場格局。自2019后其他廠商如中國的長江存儲慢慢進入全球視線，但市占率仍然較低。

從中國存儲芯片行業競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領導，細分領域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內廠商奮力追趕，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距，其中，兆易創新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術。

值得注意的是，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體發展的重要角色。

《2023-2028年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告》由中研普華存儲芯片行業分析專家領銜撰寫，主要分析了存儲芯片行業的市場規模、發展現狀與投資前景，同時對存儲芯片行業的未來發展做出科學的趨勢預測和專業的存儲芯片行業數據分析，幫助客戶評估存儲芯片行業投資價值。

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